[发明专利]先进四方扁平无引脚封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种先进四方扁平无引脚封装结构，包括：

载体，具有管芯座、及围绕该管芯座设置的多个引脚，其中各该些引脚包括内引脚及外引脚，且至少一个内引脚包括金属层及保护层，该保护层覆盖其下该金属层的边缘及侧壁的至少一部分，且至少一个内引脚包括内弯侧壁；

芯片，位于该管芯座上；

多个导线，设置于该芯片与该些内引脚之间；以及

封装胶体，用于封装该管芯座上的该芯片、该些导线及该些内引脚。

2.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构，其中该保护层完全覆盖其下该金属层的一顶面及该些侧壁。

3.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构，其中该保护层还覆盖该内引脚的该些内弯侧壁的一部分。

4.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构，其中该内引脚具有上部内弯侧壁及下部内弯侧壁，且该保护层完全覆盖其下该金属层的一顶面及该些侧壁以及该内引脚的该些上部内弯侧壁。

5.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构，其中该保护层的材料包括一耐蚀刻性金属材料。

6.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构，其中该载体还包括至少一接地环，该至少一接地环位于该管芯座上并通过该导线而电连接至该芯片。

7.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构，其中该些引脚的材料包括镍、金、钯或其组合。

8.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构，其中该内引脚具有该些内弯侧壁，该些内弯侧壁具有小于或等于0.5微米的一内弯距离。

9.一种制造一先进四方扁平无引脚封装结构的方法，包括：

提供一基板，该基板具有上表面及下表面；

形成一第一金属层于该基板的该上表面；

使用该第一金属层作为一蚀刻掩模，对该基板的该上表面执行一第一蚀刻制作工艺，以形成至少一空腔及多个第一开口；

形成一保护层于该第一金属层上，以覆盖至少该第一金属层的边缘及侧壁；

使用该保护层及该第一金属层作为一掩模，对该基板的该上表面执行一第二蚀刻制作工艺，以将该空腔变成一容置空腔并扩大该些第一开口，其中该些扩大的第一开口定义出多个内引脚，且该些内引脚围绕该容置空腔设置；

提供一芯片至该基板的该容置空腔；

在该芯片与该些内引脚之间形成多个导线；以及

形成一封装胶体于该基板上，以封装该芯片、该些导线及该些内引脚。

10.如权利要求9所述的方法，其中该保护层是通过镀覆而形成，且该保护层的材料包括一耐蚀刻性金属材料。

11.如权利要求9所述的方法，其中该第二蚀刻制作工艺是一各向同性蚀刻制作工艺，且该些内引脚具有内弯侧壁。

12.如权利要求9所述的方法，其中该第一蚀刻制作工艺及该第二蚀刻制作工艺是各向同性蚀刻制作工艺，且该第一金属层上的该保护层还覆盖该些第一开口的侧壁的一部分，使得该些内引脚具有上部内弯侧壁及下部内弯侧壁。

13.如权利要求9所述的方法，还包括在形成该保护层之前执行一水刀制作工艺。

14.如权利要求9所述的方法，还包括形成一第二金属层于该基板的该下表面上，其中该第一金属层及该第二金属层是通过镀覆而形成。

15.如权利要求9所述的方法，还包括在提供该芯片之前，在该容置空腔内形成一粘合层。

16.如权利要求9所述的方法，还包括使用该基板的该下表面上的该第二金属层作为一蚀刻掩模，对该基板的该下表面执行一第三蚀刻制作工艺，以蚀刻穿透该基板，直至暴露出填充于该些扩大的第一开口内的该封装胶体为止，由此形成多个引脚及一管芯座。