[发明专利]一种双极晶体管选通的阻变存储器、阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种多发射极的双极晶体管，所述晶体管包括：

集电极；

形成于所述集电极上的基极；

形成于所述基极上的至少两个发射极，所述发射极间隔排列；

其中，所述基极是所有所述发射极的共有基极，所述集电极是所有所述发射极的共有集电极。

2.根据权利要求1所述的晶体管，还包括形成于所述基极上的基极引线、形成于发射极上的发射极引线，以及形成于所述基极引线和发射极引线上的金属层。

3.一种多发射极的双极晶体管选通的阻变存储器单元，所述阻变存储单元包括：

集电极；

形成于所述集电极上的基极；

形成于所述基极上的至少两个发射极，所述发射极之间由绝缘层分隔开；

形成于每个所述发射极上的阻变存储器；

其中，所述基极是所有所述发射极的共有基极，所述集电极是所有所述发射极的共有集电极。

4.根据权利要求3所述的阻变存储器单元，还包括形成于所述基极上的基极引线、形成于所述阻变存储器上的发射极引线，以及形成于所述基极引线和发射极引线上的金属层，所述基极引线上的金属层为所述存储器单元的位线，所述发射极引线上的金属层为所述存储器单元的字线。

5.根据权利要求3所述的阻变存储器单元，还包括形成于基极与发射极之间的轻掺杂层，所述轻掺杂层具有与基极相同掺杂类型。

6.根据权利要求3所述的阻变存储器单元，其中每个所述发射极上的阻变存储单元至少为一个。

7.根据权利要求3所述的阻变存储器单元，其中所述阻变存储器包括上电极、下电极以及所述上、下电极之间的阻变功能层。

8.根据权利要求3所述的阻变存储器单元，其中所述阻变存储器包括阻变功能层及所述阻变功能层之上的电极层。

9.一种多发射极的双极晶体管选通的阻变存储器阵列，包括多个如权利要求3-8中任一项所述的双极晶体管选通的阻变存储器单元，其中所述双极晶体管选通的阻变存储器单元平行排列且具有共同的集电极，每个所述阻变存储器单元间的基极和发射极由深沟槽隔离。

10.一种双极晶体管选通的阻变存储器单元的制造方法，所述方法包括：

A、提供具有第一掺杂类型的半导体衬底；

B、在所述半导体衬底上形成具有第二类型掺杂的第一重掺杂层；

C、在所述第一重掺杂层上形成具有第一掺杂类型的第二重掺杂层，并将所述第二重掺杂层用绝缘层分隔为至少两个发射极，以及在每个所述发射极上形成阻变存储器；

其中第一掺杂类型的半导体衬底为集电极，第二类型掺杂的第一重掺杂层为基极，所述基极是所有所述发射极的共有基极，所述集电极是所有所述发射极的共有集电极。

11.根据10所述的方法，所述步骤C包括：

在所述第一重掺杂层上依次形成具有第一掺杂类型的第二重掺杂层、下电极和掩膜层，图形化所述第二重掺杂层、下电极和掩膜层以暴露第一重掺杂层，以形成多个发射极；

在第二重掺杂层、下电极和掩膜层之间填充绝缘材料层；

去除掩膜层以形成开口，在所述开口内形成侧墙；

在所述侧墙内壁间的开口内形成阻变材料层；

在所述侧墙及阻变材料层上形成上电极，从而形成阻变存储器。

12.根据权利要求10-12任一项中所述的方法，在所述步骤C后还包括：在所述基极上形成基极引线，以及在所述阻变存储器上形成发射极引线，以及在所述基极引线和发射极引线上形成金属层。