[发明专利]半导体存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

第一存储块和第二存储块；

与所述第一存储块和所述第二存储块中的每个相关联的第一局部线组和第二局部线组，其中，所述第一存储块和所述第二存储块中的每个包括与各自的所述第一局部线组和所述第二局部线组耦接的半导体元件；

第一全局线组和第二全局线组；

第一开关电路，所述第一开关电路被配置为响应于块选择信号而将所述第一全局线组与所述第一存储块的所述第一局部线组耦接；

第二开关电路，所述第二开关电路被配置为响应于所述块选择信号而将所述第二全局线组与所述第一存储块和第二存储块的所述第二局部线组耦接；以及

第三开关电路，所述第三开关电路被配置为响应于所述块选择信号而将所述第一全局线组与所述第二存储块的所述第一局部线组耦接。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中：

所述第一存储块包括第一至第八I/O存储块、备用存储块、修复存储块、以及标志单元存储块中的一些，并且

所述第二存储块包括除所述第一存储块所包括的存储块之外的存储块。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述第一存储块和所述第二存储块形成一个存储平面。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中：

所述第一存储块位于所述第一开关电路与所述第二开关电路之间，并且

所述第二存储块位于所述第二开关电路与所述第三开关电路之间。

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中：

所述第一全局线组包括全局源极选择线与全局漏极选择线中的一个、第一全局字线组、以及第一全局虚设字线，

所述第二全局线组包括所述全局源极选择线与所述全局漏极选择线中的另一个、第二全局字线组、以及第二全局虚设字线，

所述第一局部线组包括局部源极选择线和局部漏极选择线中的一个、第一局部字线、以及第一局部虚设字线，并且

所述第二局部线组包括所述局部源极选择线和所述局部漏极选择线中的另一个、第二局部字线、以及第二局部虚设字线。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述第一开关电路至所述第三开关电路中的一个将全局漏极选择线和全局源极选择线耦接至所述第一存储块和所述第二存储块的局部漏极选择线和局部源极选择线。

7.如权利要求6所述的半导体存储装置，其中：

所述第一全局线组包括第一全局虚设字线和第一全局字线组，

所述第二全局线组包括第二全局虚设字线和第二全局字线组，

所述第一局部线组包括第一局部虚设字线和第一局部字线，并且

所述第二局部线组包括第二局部虚设字线和第二局部字线。

8.一种半导体存储装置，包括：

第一存储体和第二存储体，所述第一存储体和所述第二存储体中的每个包括多个存储块；

电压发生电路，所述电压发生电路被配置为响应于操作命令信号而将第一操作电压和第二操作电压输出至第一全局线组和第二全局线组；

行译码器，所述行译码器被配置为响应于行地址信号而输出用于从所述第一存储体和所述第二存储体中选择存储块的块选择信号；

第一开关电路组，所述第一开关电路组被配置为响应于所述块选择信号而将所述第一操作电压传输至从所述第一存储体中选择的第一存储块；

第二开关电路组，所述第二开关电路组被配置为响应于所述块选择信号而将所述第二操作电压传输至所述第一存储块和从所述第二存储体中选择的第二存储块；以及

第三开关电路组，所述第三开关电路组被配置为响应于所述块选择信号而将所述第一操作电压传输至所述第二存储块。

9.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中：

所述第一存储块包括第一至第八I/O存储块、备用存储块、修复存储块、以及标志单元存储块中的一些，并且

所述第二存储块包括除所述第一存储块所包括的存储块之外的存储块。

10.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述第一存储体和所述第二存储体形成一个存储平面。