[发明专利]半导体元件、在其中增加表面掺杂浓度的方法及形成方法无效
| 申请号： | 201010602082.9 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102347351A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;叶茂荣;蔡俊雄;李宗鸿;林大文;郭紫微 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 其中 增加 表面 掺杂 浓度 方法 形成 | ||
1.一种形成半导体元件的方法，包括：
提供一基底；
在该基底内形成一掺杂区；
在该掺杂区之上形成一应力层；
对该应力层进行一硼掺杂注入；
对该硼掺杂注入进行退火；以及
在该硼掺杂注入退火之后，在该应力层之上形成一硅化物层。
2.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其中使用硅锗形成该应力层，且使用硅化镍形成该硅化物层。
3.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其中该硼掺杂注入为一等离子体注入工艺，其中该等离子体注入工艺使用一前驱物气体，包括B2H6，以及一稀释气体，包括H2、Ar、He以及前述的组合。
4.如权利要求3所述的形成半导体元件的方法，其中该等离子体注入工艺使用的气体包括B2H6以及H2，其中B2H6的比例为5％-10％，且H2的比例为90％-95％。
5.一种在半导体元件中增加表面掺杂浓度的方法，包括：
提供一基底；
在该基底上形成一伪栅极结构，其中该伪栅极结构包含一伪栅极；
在该基底内形成一掺杂区，其中该掺杂区的一第一部分在该伪栅极结构的一部分之下，并且该掺杂区的一第二部分不在该伪栅极结构的该部分之下；
在该掺杂区之上形成一应力层；
对该应力层进行一硼掺杂注入；
对该硼掺杂注入进行退火；
在该硼掺杂注入退火之后，在该应力层之上形成一硅化物层；以及
以一金属栅极取代该伪栅极。
6.如权利要求5所述的在半导体元件中增加表面掺杂浓度的方法，其中使用硅锗形成该应力层，且该掺杂区为源极或漏极区。
7.如权利要求5所述的在半导体元件中增加表面掺杂浓度的方法，其中该硼掺杂注入为一等离子体注入工艺，具有一来源射频为2MHz，以及一脉冲式直流电源偏压，该脉冲式直流电源偏压具有一脉冲频率为0.5KHz至10KHz。
8.如权利要求7所述的在半导体元件中增加表面掺杂浓度的方法，其中该等离子体注入工艺使用的气体包括B2H6以及H2，其中B2H6的比例为5％-10％，且H2的比例为90％-95％。
9.一种半导体元件，包括：
一基底；
一掺杂区，设置于该基底内；
一应力层，设置在该掺杂区之上；
一硼掺杂物，注入至该应力层内且经过退火，其中该硼掺杂物具有一大于1E22原子数/立方公分的表面浓度；以及
一硅化物层，于该硼掺杂物退火之后，设置在该应力层之上。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该应力层包括硅锗，该硅化物层包括硅化镍。
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