[发明专利]一种提高电子硬盘数据写入速度的方法有效
申请号: | 201010601247.0 | 申请日: | 2010-12-17 |
公开(公告)号: | CN102541458A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 刘升;崔建杰 | 申请(专利权)人: | 西安奇维测控科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710077 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 电子 硬盘数据 写入 速度 方法 | ||
1.一种提高电子硬盘数据写入速度的方法,其特征在于,该方法是:
在电子硬盘的控制器外部连接128MByte容量的缓存,该缓存作为接口数据的临时存储空间;
当电子硬盘接口的数据写入速度大于闪存控制器对闪存的写入速度时,把数据临时存放在该缓存中;当对闪存的操作空闲时,从该缓存中读取数据再写入到闪存中。
2.根据权利要求1所述提高电子硬盘数据写入速度的方法,其特征在于:所述缓存由设置于闪存控制器内的外部缓存管理单元控制工作。
3.根据权利要求2所述提高电子硬盘数据写入速度的方法,其特征在于:所述缓存管理单元包含写FIFO模块、读FIFO模块和外部缓存读写控制单元模块;
当来自外部接口的数据要写入到缓存中时,数据先进入到写FIFO中,由外部缓存读写控制单元从写FIFO中获取数据,把数据写入到外部缓存中;
当闪存控制器检测到闪存阵列控制单元空闲时,会启动外部缓存读写控制单元从外部缓存中读取数据;
读取的数据先进入到读FIFO中,然后由闪存读写控制单元从读FIFO中获取数据,写入的闪存阵列中去。
4.根据权利要求1~3任一所述提高电子硬盘数据写入速度的方法,其特征在于,该方法还包括提供一个由电容阵列组成的后备电源,该后备电源保证在电子硬非正常断电的情况下,缓存中的数据和控制器产生的管理信息能完全写入到闪存中。
5.根据权利要求4所述提高电子硬盘数据写入速度的方法,其特征在于:所述电容阵列由若干个电容先并联再串连的方式来组成。
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