[发明专利]检测电路延时和时序的方法及采用该方法校准延时的方法有效
| 申请号: | 201010600544.3 | 申请日: | 2010-12-22 | 
| 公开(公告)号: | CN102571041A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 | 
| 发明(设计)人: | 董乔华 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 | 
| 主分类号: | H03K5/13 | 分类号: | H03K5/13 | 
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 | 
| 地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检测 电路 延时 时序 方法 采用 校准 | ||
1.一种检测电路延时和时序的方法,其特征在于,包含如下步骤:
1)将主时序信号和待检测的延时时序信号进行逻辑与操作,产生测试时序信号;
2)利用第二计数器对所述测试时序信号的延时边沿进行计数,同时根据主时序信号的下降沿和第一个计数器产生使能信号,所述使能信号用于驱动逻辑电路分时进行采样计数值,分析计数值并进行判断,所述计数使能信号的高电平时长为所述主时序信号的固定周期;
3)采用以下标准对计数结果进行判断,当计数值大于或等于所述固定周期时,判断时序正确;当计数值小于所述固定周期时,判断时序错误,其中时序正确表示延时小于主时序信号的周期;
4)变换主时序信号的周期,重复操作步骤1)至3),通过多次逼近找到时序正确和时序错误的临界点,该临界点所对应的周期即为所述待检测的延时时序信号的实际延时。
2.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤2)中由第一计数器产生的使能信号有三个,从时序上分别为:当第一个使能信号为高电平时,触发所述第二个计数器采样测试时序信号的延时边沿;当第一使能信号变为低电平,第二使能信号为高电平时,通过逻辑电路分析计数值的大小;当第二使能信号变为低电平,第三使能信号为高电平时,根据计数值的大小判断时序是否正确,给出标志位,同时清零计数值。
3.按照权利要求2所述的方法,其特征在于:在所述步骤二中还包括采用检测时序信号来控制测试状态和测试次数,所述检测时序信号由第三计数器和所述主时序信号的下降沿产生;该检测时序信号设置为每另一固定主时序信号周期增加一位,该另一固定主时序信号周期设置为大于第三使能信号的高电平时长,且所述检测时序信号的周期与所述第三使能信号的周期相同;在所述检测时序信号中,至少一个周期用于稳定时序,接下来的一个周期用于通过运算产生测试和计数使能信号,所述计数使能信号用于和所述第一使能信号一起驱动所述第二计数器采样所述待测时序信号,再接下来至少有两个周期对所述第二计数器的计数结果进行判断,其中任意一次计数结果大于等于固定周期加允许的偏差值时,输出标志位置高,并停止计数和判断。
4.按照权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于:当所述待检测的延时时序信号为所述主时序信号的上升沿延时时,所述延时边沿为上升沿,即所述第二计数器对所述测试时序信号的上升沿进行计数;当所述待检测的延时时序信号为所述主时序信号的下降沿延时时,所述延时边沿为下降沿,即所述第二计数器对所述测试时序信号的下降沿进行计数。
5.一种采用权利要求1至3中任一项权利要求所述的检测电路延时和时序的方法来校准延时的方法,其特征在于:采用上述方法来检测出电路的延时,之后根据与标准延时的偏差进行校准调整,至调整后的电路延时达到设计目标为止。
6.一种延时检测电路,其特征在于:
包括测试时序信号产生电路,用于根据外部信号将主时序信号和待检测的延时时序信号进行逻辑与操作产生测试时序信号;
使能信号产生电路,用于根据所述主时序信号的下降沿和第一计数器产生使能信号,所述使能信号用于驱动逻辑电路分时进行采样计数值,分析计数值并进行判断,所述计数使能信号的高电平时长为所述主时序信号的固定周期;
第二计数器,用于根据所述使能信号对所述测试时序信号的延时边沿进行计数;
计数结果判断模块,用于在所述使能信号的作用下,通过所述逻辑电路分时进行采样计数值,分析计数值以及通过判断给出标志位,所述判断标准为:当计数值大于等于所述固定周期时,判断时序正确;当计数值小于所述固定周期时,判断时序错误,其中时序正确表示延时小于主时序信号的周期。
7.按照权利要求6所述的方法,其特征在于:所述由第一计数器产生的使能信号有三个,从时序上分别为:当第一个使能信号为高电平时,触发所述第二个计数器采样测试时序信号的延时边沿;当第一使能信号变为低电平,第二使能信号为高电平时,通过逻辑电路分析计数值的大小;当第二使能信号变为低电平,第三使能信号为高电平时,根据计数值的大小判断时序是否正确,给出标志位,同时清零计数值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010600544.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种抑制多模式低频振荡的PSS参数优化方法
- 下一篇:生产薄电池的方法





