[发明专利]MIM电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201010599891.9 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102544118A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 牛健;李广福;杨林宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/334 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 制备 方法 | ||
1.一种MIM电容器，其特征在于，包括：
第一导电层，其中，所述第一导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um；
绝缘层，位于所述第一导电层上；
第二导电层，位于所述绝缘层上，其中，所述第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um。
2.如权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于，所述第一导电层的厚度为420nm～460nm，所述第二导电层的厚度为110nm～150nm。
3.如权利要求2所述的MIM电容器，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层的材料为金属铝。
4.如权利要求1所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为35nm～40nm。
5.如权利要求4所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅。
6.一种MIM电容器的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
在半导体衬底上沉积第一导电层，其中，所述第一导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um；
在所述第一导电层上制备绝缘层；
在所述绝缘层上沉积第二导电层，其中，所述第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um。
7.如权利要求6所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层的厚度为420nm～460nm，所述第二导电层的厚度为110nm～150nm。
8.如权利要求7所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层的材料为金属铝。
9.如权利要求6至8任一项所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层的沉积方法为溅射。
10.如权利要求9所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层的溅射条件为：溅射功率：10000W～12000W，压力：2mTorr～6mTorr，温度：250℃～280℃。
11.如权利要求10所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层的沉积步骤为：
(1)判断溅射机台的停机时间是否超过设定时间，若超过，则进行步骤(2)，若未超过，则进行步骤(3)；
(2)利用模拟晶片在所述溅射条件下进行模拟沉积，待溅射机台运行稳定后转到步骤(3)；
(3)将所述半导体衬底置于溅射机台中，在所述溅射条件下沉积第一导电层或第二导电层。
12.如权利要求11所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述设定时间为3分钟。
13.如权利要求10所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层的溅射条件为：溅射功率：11500W，压力：2mTorr～6mTorr，温度：250℃～280℃。
14.如权利要求6所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为35nm～40nm。
15.如权利要求14所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅。
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