[发明专利]半导体器件制作方法有效
| 申请号： | 201010599115.9 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102569160A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杜建 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括STI浅沟槽；
在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入离子，以改善注入离子处的基底材料的晶格结构；
在所述基底表面上形成STI浅槽隔离区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入的离子为四价离子。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述四价离子为硅离子。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入离子的剂量基本为1E13cm2。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入离子的注入角度为20°-40°。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入离子的注入角度基本为30°。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述基底表面上形成STI浅槽隔离区的过程包括：
在所述STI浅沟槽的侧壁和底部上形成衬垫氧化层；
在所述衬垫氧化层上和所述基底表面上形成STI填充层；
去除所述STI浅沟槽外多余的STI填充层材料，形成STI浅槽隔离区。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用热氧化法形成所述衬垫氧化层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用低压化学气相淀积或高密度等离子体化学气相淀积的方式形成所述STI填充层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，采用化学机械研磨的方式去除STI浅沟槽外的STI填充层，形成STI浅槽隔离区。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
