[发明专利]半导体管芯与导电柱的形成方法

权利要求书

1.一种半导体管芯，包括：

一基板；

一接合垫位于该基板上；

一导电柱位于该接合垫上，该导电柱具有一上表面、一边缘侧壁、与一高度；

一盖层位于该导电柱的上表面上，并沿着该导电柱的该边缘侧壁延伸一长度；以及

一焊料位于该盖层的上表面上。

2.如权利要求1所述的半导体管芯，其中该长度与该高度的比例介于约0.0022至约0.088之间。

3.如权利要求1所述的半导体管芯，其中该盖层的厚度介于约至约之间。

4.如权利要求1所述的半导体管芯，还包括一封装基板接合至该焊料。

5.一种半导体管芯，包括：

一基板；

一接合垫位于该基板上；

一保护层位于该焊料垫与该基板上，该开口具有一第一开口；

一缓冲层位于该保护层上，该缓冲层具有一第二开口，其中该第一开口与该第二开口形成一组合开口，且该组合开口具有侧壁并露出部分该接合垫；

一凸块下冶金层衬垫该组合开口的侧壁，位于该缓冲层顶部上，并接触露出的部分该接合垫；

一导电柱位于该凸块下冶金层上，该导电柱具有一上表面、一边缘侧壁、与一高度；

一盖层位于该导电柱的上表面上，并沿着该导电柱的该边缘侧壁延伸一长度；以及

一焊料位于该盖层的上表面上。

6.如权利要求5所述的半导体管芯，其中该长度与该高度的比例介于约0.0022至约0.088之间。

7.如权利要求5所述的半导体管芯，其中该盖层的厚度介于约至约之间。

8.一种导电柱的形成方法，包括：

形成一接合垫于一基板上；

形成一凸块下冶金层于该接合垫上；

形成一图案化光致抗蚀剂层于该凸块下冶金层上，该图案化光致抗蚀剂层具有一孔洞露出部分该凸块下冶金层；

将一导电材料填入部分该孔洞以形成一导电柱于该凸块下冶金层上，其中该导电柱具有一上表面、一边缘侧壁、与一高度；

将一盖层填入该导电柱的上表面上的部分该孔洞中，其中该盖层沿着该导电柱的该边缘侧壁延伸一长度；

将一焊料填入该盖层的上表面上的部分该孔洞中；以及

移除该图案化光致抗蚀剂层。

9.如权利要求8所述的导电柱的形成方法，还包括在移除该图案化光致抗蚀剂层后，以导电柱为掩模并蚀刻该凸块下冶金层。

10.如权利要求8所述的导电柱的形成方法，其中该长度与高度的比例介于约0.0022至约0.088之间。