[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

阵列基板是液晶显示器的重要部件。如图1所示的现有技术中的阵列基板的局部俯视结构示意图，该阵列基板的典型结构包括：衬底基板1；衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线5和栅线2；数据线5和栅线2围设形成矩阵形式排列的像素单元。多个像素单元组成液晶显示器的像素区域30。在像素区域30的外围为接口区域40，数据线5、栅线2延伸至接口区域40，以便与驱动线路相连。公共电极线12的一部分可以在形成栅线2的第一金属层上形成，另一部分可以在形成数据线5的第二金属层上形成。对于需要全部连接在一起的公共电极线12而言，这种形成方式必然会存在第一金属层和第二金属层连接的位置。

第一金属层和第二金属层可以通过过孔、以及在过孔上敷设透明导电层来实现彼此的连接。如图2所示的现有技术中第一金属层和第二金属层的连接位置俯视图，图中的21为第一金属层，22为第二金属层，23为透明导电层，241为第一金属层过孔，242为第二金属层过孔。图3为图2中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。图4为现有技术中第一金属层和第二金属层的第二种连接位置俯视图，图中的21为第一金属层，22为第二金属层，23为透明导电层，241为第一金属层过孔，242为第二金属层过孔。图5为图4中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。图2至图5中所示的连接结构可以等效为图6所示的电路。之所以可以等效为图6所示的电路，主要原因在于：第一金属层21为栅金属和部分公共电极金属，其电阻约为0.35，而第二金属层22为数据金属和部分公共电极金属，其电阻约为0.55，透明导电层23的电阻约为150，远大于第一金属层21和第二金属层22的电阻，所以相对于透明导电层23的电阻而言，第一金属层21和第二金属层22的电阻可以忽略不计。由此，参见图6，21表示第一金属层，22表示第二金属层，R1至R6表示过孔上方透明导电层23的电阻，R7至R9表示透明导电层23与第二金属层22之间的接触电阻，R10至R12表示透明导电层23与第一金属层21之间的接触电阻。具体的，以图5为例对上述各参数进行说明。由于图5仅为图4中沿A-A线的侧视剖切结构示意图，即仅表现了图4中的部分结构，而图6中的等效电路是图4中所表现的全部内容的等效电路图，所以在图5中未示出的部分可参考图5所示的内容进行说明。其中，R6(或R5)具体为第一金属层21上相邻的两个过孔241之间的透明导电层23的电阻，R4和R3具体为第一金属层过孔241与第二金属层过孔242之间的透明导电层23的电阻，R2(或R1)具体为第二金属层22上相邻的两个过孔242之间的透明导电层23的电阻。R12(或R11、R10)具体为第一金属层21与透明导电层23之间的接触电阻，R9(或R8、R7)具体为第二金属层22与透明导电层23之间的接触电阻。从图6中可以看出，流过R1至R6的电流大小是不一样的，经过电阻R3和R4的电流最大，所以在R3与R4位置上(同时参见图2和图4中的闪电状图案位置)很容易发生透明导电层23过热熔断的情况，这种过热熔断会对液晶显示面板的质量造成重大的影响。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器，以实现第一金属层的导电图案和第二金属层的导电图案在通过过孔彼此连接时，流过各个过孔的电流一致，有效避免了测试电流以及信号电流过大导致的熔断问题。

本发明提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上依次形成有：第一金属层、栅绝缘层、有源层、第二金属层、钝化层和透明导电层；其中：

所述第一金属层的导电图案与所述第二金属层的导电图案具有重叠区域；

处于重叠区域的第二金属层设有开孔；

处于重叠区域的栅绝缘层和钝化层设有过孔，所述过孔分别位于开孔内和开孔的两侧；位于所述开孔内的过孔贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层，位于所述开孔两侧的过孔贯穿所述钝化层。