[发明专利]用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件

权利要求书

1.一种用于等离子显示屏驱动芯片的S0I器件，其特征在于，自下而上依次包括：衬底、埋氧层、n型SOI层，所述SOI层中集成HV-NMOS、HV-PMOS、Field-PMOS、LIGBT、CMOS、NPN、PNP和HV-PNP器件；

其中，所述SOI层内具有n+掺杂区，位于n型SOI层与埋氧层界面处。

2.根据权利要求1所述的用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，其特征在于，所述n+掺杂区的掺杂浓度大于n型SOI层的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，其特征在于，所述HV-NMOS、HV-PMOS、Field-PMOS、LIGBT、CMOS、NPN和HV-PNP器件包括p型阱区和n型阱区，所述PNP器件包括n型阱区；

其中，所述n+掺杂区的高度低于所述p型阱区和n型阱区的结深。

4.根据权利要求3所述的用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，其特征在于，n+掺杂区包括第一类n+掺杂区，位于所述HV-NMOS、HV-PMOS、Field-PMOS、LIGBT、CMOS或HV-PNP器件中至少一个器件对应的埋氧层区域，所述第一类n+掺杂区在沿衬底的方向上为长条型间隔掺杂，包括多个间隔排列的子掺杂区。

5.根据权利要求4所述的用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，其特征在于，n+掺杂区包括第二类n+掺杂区，位于所述NPN或PNP器件对应的埋氧层区域，所述第二类n+掺杂区在沿衬底的方向上为平面型连续掺杂，分布于NPN和/或PNP器件的整个面积之下。

6.根据权利要求1-5任一项所述的用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，其特征在于，所述埋氧层厚度范围为0.1μm～1μm。

7.根据权利要求6所述的用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，其特征在于，SOI器件为50V～300V PDP列寻址和行扫描驱动芯片中的高压器件。

8.根据权利要求1所述的用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，其特征在于，所述HV-PMOS、Field-PMOS、PNP和HV-PNP器件的场氧化层下均具有p型降场区，在HV-PMOS、Field-PMOS和HV-PNP器件中，所述p型降场区与p型阱区相连，可与n型阱区保持一定距离或相连；在PNP器件中，所述p型降场区与n型阱区和集电极p型重掺杂区相连，或所述集电极p型重掺杂区在所述p型降场区内。

9.根据权利要求8所述的用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，其特征在于，所述HV-NMOS和/或LIGBT器件的场氧化层下具有p型降场区。

10.根据权利要求8所述的用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，其特征在于，所述HV-PMOS、Field-PMOS和HV-PNP器件中的p型降场区的结深小于所述p型阱区的结深。

11.根据权利要求8-10任一项所述的用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，其特征在于，所述Field-PMOS器件的场氧化层下的n型阱区内，以及所述NPN器件和CMOS器件中的NMOS器件的场氧化层下的p型阱区内均具有p型场区，所述p型场区的掺杂浓度均大于所述n型阱区和p型阱区的掺杂浓度。