[发明专利]生产均匀多晶硅棒的方法、装置和CVD-西门子系统

权利要求书

1.一种用于生产均匀的多晶硅棒的方法，所述方法包括以下步骤：

提供硅棒生产装置，所述装置包括：

反应器容器，所述反应器容器包含至少一个被夹套围绕的反应室，其中预加热流体在所述夹套中被循环；

一个或更多个电极组件，所述电极组件延伸到所述反应室中，其中每个电极组件包括：

气体分配室，所述气体分配室包括气体进口和沿气体分配柱的长度分布的一个或更多个气体出口；

一个或更多个传热流体进口/出口；以及

至少一对硅丝，所述丝在它们的上端以硅桥彼此相连，以形成丝/细棒组件，每个丝/细棒组件包在隔离夹套中；

带硅气体的源，所述源连接到所述反应器容器的内部，用于将所述气体供应到所述反应室中，以产生反应并通过化学气相沉积将多晶硅沉积在所述丝上；

传热系统，所述传热系统被连接到供应传热流体的带夹套的反应室，以预加热所述反应室；以及

电源；

通过在所述传热系统中循环传热流体，预加热所述反应室到一温度，在所述温度所述硅丝变得更导电；

通过施加来自所述电源的电流，加热所述硅丝到硅沉积温度；

将所述带硅气体切向地注入所述气体分配室和相关联的丝/细棒组件之间的间隙；

分解至少部分的所述带硅气体，以形成硅；以及

均匀地将硅沉积在所述硅丝上，以生产多晶硅棒。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或更多个气体出口在所述气体分配室的周边周围以90度间隔设置，所述出口以每90度间隔沿所述气体分配室的所述长度等距地分布。

3.如权利要求1所述的方法，其中4个或更多个气体出口以每90度间隔沿每个气体分配室的所述长度设置。

4.如权利要求1所述的方法，其中每个所述一个或更多个气体出口的直径大体上相等。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或更多个气体出口与所述气体分配室成一体。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或更多个气体出口独立于所述气体分配室被支撑。

7.如权利要求1所述的方法，还包括在注入所述反应室中之前预加热所述带硅气体到所述夹套温度的步骤。

8.一种用于生产均匀的多晶硅棒的装置，所述装置包括：

反应器容器，所述反应器容器包含至少一个被夹套围绕的反应室，其中预加热流体在所述夹套中被循环；

一个或更多个电极组件，所述电极组件延伸到所述反应室中，其中每个电极组件包括：

气体分配室，所述气体分配室包括气体进口和沿气体分配柱的长度分布的一个或更多个气体出口，其中每个气体出口被取向为将气体切向地注入所述气体分配室和相关联的丝/细棒组件之间的间隙；

一个或更多个传热流体进口/出口；以及

至少一对硅丝，所述丝在它们的上端以硅桥彼此相连，以形成丝/细棒组件，每个丝/细棒组件包在隔离夹套中；

带硅气体的源，所述源连接到所述反应器容器的内部，用于将所述气体供应到所述反应室中，以产生反应并通过化学气相沉积将多晶硅沉积在所述丝上；

传热系统，所述传热系统被连接到供应传热流体的带夹套的反应室，以预加热所述反应室；以及

电源。

9.如权利要求8所述的装置，其中所述一个或更多个气体出口在所述气体分配室的周边周围以90度间隔设置，所述出口以每90度间隔沿所述气体分配室的所述长度等距地分布。

10.如权利要求8所述的装置，其中每个所述一个或更多个气体出口的直径大体上相等。

11.如权利要求8所述的装置，其中所述一个或更多个气体出口与所述气体分配室成一体。

12.如权利要求8所述的装置，其中所述一个或更多个气体出口独立于所述气体分配室被支撑。