[发明专利]氮化硅材料和氮化硅材料制成的隔热盘罩的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010589513.2 申请日: 2010-12-15
公开(公告)号: CN102531612A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 茹敏朝;徐鹏;张伟儒;喻显扬 申请(专利权)人: 北京中材人工晶体研究院有限公司
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/622
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 100018 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 氮化 材料 制成 隔热 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氮化硅材料,其特征在于,所述氮化硅材料由以下重量百分比的各原料组成:氮化硅65~87.5%、纳米氮化硅5~15%、烧结助剂5~15%和碳化钨0.5~5%。

2.根据权利要求1所述的氮化硅材料,其特征在于,所述普通氮化硅的平均粒径为0.1~5μm,所述纳米氮化硅的平均粒径<100nm,所述碳化钨的平均粒径<2μm。

3.根据权利要求1所述的氮化硅材料,其特征在于,所述烧结助剂由重量百分比的金属氧化物20~80%和稀土氧化物20~80%组成。

4.根据权利要求3所述的氮化硅材料,其特征在于,所述金属氧化物为氧化铝和/或氧化镁,所述稀土氧化物为氧化钇、氧化镱、氧化铈、氧化镧或氧化钐中的一种或任意几种的混合物。

5.根据权利要求4所述的氮化硅材料,其特征在于,所述氧化铝或氧化镁的平均粒径<5μm,所述稀土氧化物的平均粒径<5μm。

6.根据权利要求1至5任一项所述的氮化硅材料制成的隔热盘罩的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)按以下重量百分比称取各原料:氮化硅70~90%、纳米氮化硅5~15%、烧结助剂5~15%和碳化钨0.5~5%,置入盛有溶剂的容器内,加入研磨剂及研磨介质,滚筒球磨20~40小时或高能球磨3~6小时;

2)将研磨好的混料置入烘箱,于80~180℃烘干筛除杂物制成基料,或者混料直接雾化干燥制成基料;

3)将基料置入按产品设计的几何尺寸做好的模具后,经过冷等静压成型后,得到筒状素坯;

4)筒状素坯在车床上进行精加工,得到高精度尺寸的素坯;

5)将加工好的素坯放入烧结炉内,于充入氮气的条件下烧结;

6)停止加温,温度降至150℃开始卸压至常压,打开炉门,自然冷却,得到毛坯。

7)将毛坯在磨床上进行端面加工,即得成品。

7.根据权利要求6所述的用该氮化硅材料制成的隔热盘罩的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中的溶剂为高纯乙醇、去离子水或蒸馏水,所述研磨剂为聚乙烯醇或聚乙二醇,所述研磨介质为氧化铝或氮化硅磨球,所述高能球磨为搅拌磨或行星球磨。

8.根据权利要求6所述的该氮化硅材料制成的隔热盘罩的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中所述研磨剂小于等于氮化硅材料各原料总质量的3%。

9.根据权利要求6所述的该氮化硅材料制成的隔热盘罩的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中冷等静压的压力为120~250MPa。

10.根据权利要求6所述的该氮化硅材料制成的隔热盘罩的制备方法,其特征在于,所述步骤5)中其烧结过程为:先升温至1350~1500℃,压力加至0.4~1MPa,保持10~60分钟,继续升温至1700~1900℃时,压力加至3~6MPa,保持1~3小时。

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