[发明专利]一种硅片激光打标后的清洗工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种清洗工艺，尤其是一种硅片激光打标后的清洗工艺，属于半导体加工的技术领域。

背景技术

纵观现今代工线的发展，代工电路结构越来越复杂，应用越来越广泛，电路品种越来越多。为防止在线圆片混淆的情况，提高圆片的识别性，越来越多的加工线都采用硅片激光打标机对圆片进行激光打标来识别，但由于激光打标后，硅片表面上直径大于0.2μm的颗粒会达到几千至上万个，进而提出了激光打标后清洗技术的需求。硅片激光打标后采用的传统处理方法为硅片擦片机及传统湿法清洗方法组合使用，该方法必须先期进行硅片擦片机的机台投入，从而产生如设备资金投入、超净化间设备空间占用、设备备件维护及持续消耗等等问题，这对很多小型加工线来说，是无法承受的，进而提出了在无硅片擦片机辅助的前提下，来完成硅片激光打标后清洗要求的技术途径需求。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种硅片激光打标后的清洗工艺，其工艺步骤简单，适用性广，操作方便，降低了清洗成本，安全可靠。

按照本发明提供的技术方案，所述硅片激光打标后的清洗工艺包括如下步骤：

a、将激光打标后的硅片放置在酸溶液中清洗，所述酸溶液由HF溶液和水混合形成；所述HF和水间的体积关系为：HF∶H₂O＝1∶20～30，酸溶液的温度为21℃～22℃；所述HF溶液的浓度为50％～55％，硅片在所述酸溶液清洗2～3分钟；b、用去离子水对上述酸洗后的硅片进行循环冲洗；c、将硅片放入混合溶液中清洗，所述混合溶液由NH₄OH溶液、H₂O₂溶液和H₂O组成，所述NH₄OH溶液、H₂O₂溶液和H₂O间的体积关系为：NH₄OH∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶12～15；NH₄OH溶液的浓度为28％～30％，H₂O₂溶液的浓度为30％～32％，所述混合溶液的温度为65℃～75℃，硅片在所述混合溶液中清洗4～6分钟；d、用去离子水对上述酸混合溶液清洗后的硅片进行混合冲洗；e、将硅片再次放入酸溶液中清洗，所述酸溶液由HF溶液和水混合形成；所述HF和H₂O间的体积关系为：HF∶H₂O＝1∶20～30，酸溶液的温度为21℃～22℃；硅片在所述酸溶液清洗0.5～1分钟；f、将上述再次酸洗后的硅片用去离子水溢流4～6分钟，然后使用去离子水循环冲洗；g、将硅片再次放入混合溶液中清洗，所述混合溶液由NH₄OH溶液、H₂O₂溶液和H₂O组成，所述NH₄OH溶液、H₂O₂溶液和H₂O间的体积关系为：NH₄OH∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶12～15；NH₄OH溶液的浓度为28％～30％，H₂O₂溶液的浓度为30％～32％，所述混合溶液的温度为65℃～75℃，硅片在所述混合酸溶液中清洗4～6分钟；h、将上述清洗后的硅片用去离子水循环冲洗，得到清洗后的硅片。

所述清洗工艺还包括步骤i，将清洗后的硅片进行干燥，去除硅片表面的水分。

本发明的优点：激光打标后的硅片先通过HF溶液和水混合得到的酸液中清洗，然后再通过NH₄OH溶液、H₂O₂溶液和H₂O组成的混合溶液中清洗，不需要硅片擦片机的辅助，即能够获得干净、无损伤的硅片表面，降低了清洗成本，工艺简单，流程简易，所有步骤都采用常规工艺，操作简单；兼容性强，适用面广，使用加工线现有湿法清洗槽进行，无需额外增加设备，能有效的降低酸液对硅片表面的侵蚀作用；由于激光打标后，硅片表面杂质中绝大部分为硅屑，着重针对硅屑颗粒的去除，简化流程，方便操作。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。