[发明专利]一种硅片激光打标后的清洗工艺

权利要求书

1.一种硅片激光打标后的清洗工艺，其特征是，所述清洗工艺包括如下步骤：

(a)、将激光打标后的硅片放置在酸溶液中清洗，所述酸溶液由HF溶液和H₂O混合形成；所述HF和H₂O间的体积关系为：HF∶H₂O＝1∶20～30，酸溶液的温度为21℃～22℃；所述HF溶液的浓度为50％～55％，硅片在所述酸溶液清洗2～3分钟；

(b)、用去离子水对上述酸洗后的硅片进行循环冲洗；

(c)、将硅片放入混合溶液中清洗，所述混合溶液由NH₄OH溶液、H₂O₂溶液和H₂O组成，所述NH₄OH溶液、H₂O₂溶液和H₂O间的体积关系为：NH₄OH∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶12～15；NH₄OH溶液的浓度为28％～30％，H₂O₂溶液的浓度为30％～32％，所述混合溶液的温度为65℃～75℃，硅片在所述混合溶液中清洗4～6分钟；

(d)、用去离子水对上述酸混合溶液清洗后的硅片进行混合冲洗；

(e)、将硅片再次放入酸溶液中清洗，所述酸溶液由HF溶液和水混合形成；所述HF和H₂O间的体积关系为：HF∶H₂O＝1∶20～30，酸溶液的温度为21℃～22℃；硅片在所述酸溶液清洗0.5～1分钟；

(f)、将上述再次酸洗后的硅片用去离子水溢流4～6分钟，然后使用去离子水循环冲洗；

(g)、将硅片再次放入混合溶液中清洗，所述混合溶液由NH₄OH溶液、H₂O₂溶液和H₂O组成，所述NH₄OH溶液、H₂O₂溶液和H₂O间的体积关系为：NH₄OH∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶12～15；NH₄OH溶液的浓度为28％～30％，H₂O₂溶液的浓度为30％～32％，所述混合溶液的温度为65℃～75℃，硅片在所述混合酸溶液中清洗4～6分钟；

(h)、将上述清洗后的硅片用去离子水循环冲洗，得到清洗后的硅片。

2.根据权利要求1所述的硅片激光打标后的清洗工艺，其特征是：所述清洗工艺还包括步骤(i)，将清洗后的硅片进行干燥，去除硅片表面的水分。