[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一第一基板；

一第二基板，设于该第一基板上并定义一容置空间，该第二基板包括：

一基材，具有一贯孔；

一导通孔结构，形成于该贯孔内；及

一绝缘结构，隔离该导通孔结构与该基材；

一第一芯片，设于该第二基板上且具有一周缘部，该周缘部的位置对应于该第二基板；以及

一第二芯片，设于该第一芯片上且位于该容置空间内。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该容置空间与该第二基板的外侧隔离。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，包括：

数个第二基板，分离地设置以定义该容置空间。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，包括：

二第二基板，相对设置；

其中，该第一芯片具有二周缘部，该二周缘部相对，且该二周缘部的位置对应于该二第二基板。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，包括：

二第二基板，相邻设置；

其中，该第一芯片具有二周缘部，该二周缘部相邻，且该二周缘部的位置对应于该二第二基板。

6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该周缘部定义该第一芯片的一转折外形。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该基材硅基材。

8.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该第二基板中介层。

9.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该基材具有相对的一第一面与一第二面，该导通孔结构延伸于该基材的该第一面与该基材的该第二面之间。

10.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该基材具有相对的一第一面与一第二面，该第二基板更包括：

一第一介电层，形成于该基材的该第一面；

一第二介电层，形成于该基材的该第二面；

一第一导电层，形成于该第一介电层上且电性接触于该导通孔结构；以及

一第二导电层，形成于该第二介电层上且电性接触于该导通孔结构。

11.如权利要求1所述的半导体封装件，更包括：

一封装体，包覆该第一芯片、该第二芯片及该第二基板。

12.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一第一基板；

提供一第二基板，其中该第二基板定义一容置空间且包括一基材、一导通孔结构及一绝缘结构，该基材具有一贯孔，该导通孔结构形成于该贯孔内，该绝缘结构隔离该导通孔结构与该基材；

提供一第一芯片，其中该第一芯片具有一周缘部；

提供一第二芯片；

连接该第一芯片、该第二芯片、该第一基板与该第二基板，其中该第二基板设于该第一基板上，该第一芯片设于该第二基板上，该第一芯片的该周缘部的位置对应于该第二基板，该第二芯片连接于该第一芯片上且位于该容置空间内；以及

形成一封装体包覆该第一芯片、该第二芯片及该第二基板。

13.如权利要求12所述的制造方法，其中于连接该第一芯片、该第二芯片、该第一基板及该第二基板的该步骤中更包括：

设置该第二基板于该第一基板上；

连接该第一芯片与该第二芯片；以及

设置该第一芯片于该第二基板上。

14.如权利要求12所述的制造方法，更包括：

切割一大基板成一小基板，其中该小基板该第二基板。

15.如权利要求12所述的制造方法，其中于提供该第二基板的该步骤更包括：

提供数个第二基板；

于连接该第一芯片、该第二芯片、该第一基板及该第二基板的该步骤中包括：

分离地设置该些第二基板于该第一基板上，其中该些第二基板定义该容置空间。

16.如权利要求1 5所述的制造方法，其中于提供该第一芯片的该步骤中，该第一芯片具有数个周缘部；于连接该第一芯片、该第二芯片、该第一基板及该第二基板的该步骤中，该些周缘部的位置对应于该些第二基板。