[发明专利]壳体及其制造方法

权利要求书

1.一种壳体，包括铝/镁金属基体，其特征在于：于该铝/镁金属基体表面磁控溅射防腐蚀层，所述防腐蚀层包括依次形成于铝/镁金属基体表面的铝铜膜和氮化铝梯度膜，所述氮化铝梯度膜中N原子的数量百分含量由靠近铝/镁金属基体至远离铝/镁金属基体的方向呈梯度增加。

2.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述铝铜膜的厚度为1.0～3.0μm。

3.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述氮化铝梯度膜的厚度为0.5～1.0μm。

4.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述铝/镁金属基体的材质为铝、铝合金、镁或镁合金。

5.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：于所述防腐蚀层上磁控溅射色彩层，该色彩层为氮钛层或氮铬层。

6.一种壳体的制造方法，包括以下步骤：

提供铝/镁金属基体；

在该铝/镁金属基体上磁控溅射防腐蚀层，所述防腐蚀层包括依次形成于铝/镁金属基体表面的铝铜膜和氮化铝梯度膜，所述氮化铝梯度膜中N原子的原子百分含量由靠近铝/镁金属基体至远离铝/镁金属基体的方向呈梯度增加。

7.如权利要求6所述的壳体的制造方法，其特征在于：磁控溅射所述铝铜膜的工艺参数为：以氩气为工作气体，其流量为100～300sccm，设置占空比为30％～80％，于铝/镁金属基体上施加-50～-200V的偏压，选择铝铜合金靶材，所述合金靶中铜的原子百分含量为0.5％～25％，设置其功率为8～13kw，溅射温度为100～150℃，溅射时间为10～30min。

8.如权利要求6所述的壳体的制造方法，其特征在于：磁控溅射所述氮化铝梯度膜的工艺参数为：以氩气为工作气体，其流量为50～300sccm，以氮气为反应气体，设置氮气的初始流量为10～150sccm，在铝/镁金属基体上施加-100～-400V的偏压，选择铝铜合金靶材，所述铝铜合金靶中铜的原子百分含量为0.5％～25％，设置其功率为2～16kw，每沉积10～15min将氮气的流量增大2～20sccm，沉积时间控制为60～120min。

9.如权利要求6所述的壳体的制造方法，其特征在于：于该防腐蚀层上形成色彩层，其工艺参数为：开启一钛靶或铬靶的电源，设置其功率8～10kw，设置氮气流量为20～150sccm，溅射时间为20～30min。