[发明专利]金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机有效
申请号: | 201010575610.6 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102142384A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 王静文;贺成明 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00;G01B11/28;G02F1/1333 |
代理公司: | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人: | 欧阳启明 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 蚀刻 终点 侦测 方法 | ||
【技术领域】
本发明是有关于一种金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机,特别是有关于一种能减少金属蚀刻终点侦测机的扫描仪摆设位置的影响,并且能更精确地确定金属膜的蚀刻终点时间的金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机。
【背景技术】
请参考图1,显示现有制作液晶面板,对金属进行蚀刻的金属湿式蚀刻机10传送承载金属膜的基板100的示意图。制作液晶面板时,会有金属湿式蚀刻机10对金属进行蚀刻的金属湿式蚀刻工序。金属湿式蚀刻是表面镀有金属膜(金属层)的基板100置于盛满酸液的蚀刻槽内,对金属膜未被光阻保护的区域进行蚀刻,以得到为光阻保护的图案。在金属湿式蚀刻机10对批量的金属膜进行蚀刻之前,先从批量的金属膜中选取一块作为样板金属膜,并获取样板金属膜进行蚀刻终点的侦测。目前业界现存有两种方式来进行蚀刻终点的侦测,一种方式是如图2所示,由工作人员150实施抽检,以目视方式结合经验进行判定而获取样板金属膜的蚀刻终点时间,但无法由于无法数据化管理,因此较为不精确。另一种方式是会先通过终点侦测机(EPD,End Point Detector)的扫描仪104获取样板金属膜的蚀刻终点时间,蚀刻终点时间的定义为从基板100(基板100用于承载金属膜)进入盛有酸液的蚀刻槽开始,到终点侦测机扫描并确认金属膜透光为止,相较于人工目视方式,较为精确许多。
终点侦测机的工作原理为采用光反射/透射原理,当基板100有金属膜时,因金属膜无法透光,终点侦测机的扫描仪104所发射出的光线会被金属膜反射,终点侦测机据此判定仍未达金属膜的蚀刻终点;而当基板100所承载的金属膜被酸液蚀刻完全时则会透光,扫描仪104射出的光线会穿透基板100而不会被反射,终点侦测机据此判定已达金属膜的蚀刻终点。
然而如图3所示,基板100的金属膜就其功能而言,可分有用区域100a和无用区域100b,无用区域100b就是指没有图案(光阻)的区域,由于有用区域100a在进行曝光工艺时图案即被细分成许许多多得细小且形状不规则的区域。因此,有用区域100a被酸液蚀刻时,蚀刻时间基本上仅单纯地与金属膜的厚度相关;而无用区域100b因没有图案,整体面积相对有用区域100a较大,被酸液蚀刻时,会从外部到内部较慢地蚀刻,因此虽与有用区域100a的金属层具有同样的膜厚,但其所需的蚀刻时间较长。
虽然采用终点侦测机的方式,能够测得每块金属膜的蚀刻终点时间。然而,因现有终点侦测机均如图4所示,是采用单点扫描的方式进行,故扫描仪104的设置位置会直接影响蚀刻终点的确定。如扫描仪104一般是设置于一固定位置进行扫描,但不同基板的金属膜的有用区域100a、无用区域100b的位置不同,若扫描仪104的固定位置多扫描到无用区域100b,会导致测得的蚀刻终点时间比真正所需的蚀刻终点时间长,则造成蚀刻终点时间确定的误差将明显较大。
因此,有必要提供一种金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机,以解决前述现有技术中所存在的问题。
【发明内容】
本发明的主要目的在于提供一种金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机,能减少金属蚀刻终点侦测机的扫描仪摆设位置的影响,并且能更地精确确定金属膜的蚀刻终点时间。
为达成本发明的前述目的,本发明提供一种金属蚀刻终点侦测方法,应用于一金属蚀刻终点侦测机,本发明的金属蚀刻终点侦测方法包含下述步骤:对金属膜进行扫描,以获取扫描区域中,所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例;判断所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例是否达到一预定比例;当达到所述预定比例时,确定当前对所述金属膜已蚀刻的时间为蚀刻终点时间。
本发明的金属蚀刻终点侦测方法的一实施例中,在判断所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例是否达到所述预定比例的步骤中,若判定未达到所述预定比例,则重复执行所述对金属膜进行扫描的步骤。
本发明的金属蚀刻终点侦测方法的一实施例中,所述终点侦测机包括一用于对金属膜进行扫描的扫描仪,且所述扫描仪以其长度方向垂直于承载所述金属膜的基板的传送方向设置。
本发明的金属蚀刻终点侦测方法的一实施例中,所述终点侦测机包括一用于对金属膜进行扫描的扫描仪。,且所述扫描仪的长度大于或等于承载金属膜的基板的宽度,以使所述扫描仪获得的所述扫描区域横跨所述基板的宽度。
本发明的金属蚀刻终点侦测方法的一实施例中,所述预定比例优选为50%~75%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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