[发明专利]金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机有效
申请号: | 201010575610.6 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102142384A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 王静文;贺成明 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00;G01B11/28;G02F1/1333 |
代理公司: | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人: | 欧阳启明 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 蚀刻 终点 侦测 方法 | ||
1.一种金属蚀刻终点侦测方法,应用于一金属蚀刻终点侦测机,其特征在于:包含:
对金属膜进行扫描,以获取扫描区域中,所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例;
判断所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例是否达到一预定比例;
当达到所述预定比例时,确定当前对所述金属膜已蚀刻的时间为所述金属膜的蚀刻终点时间。
2.如权利要求1所述的金属蚀刻终点侦测方法,其特征在于:在判断所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例是否达到所述预定比例的步骤中,若判定未达到所述预定比例,则重复执行所述对金属膜进行扫描的步骤。
3.如权利要求1所述的金属蚀刻终点侦测方法,其特征在于:所述金属蚀刻终点侦测机包括一用于对金属膜进行扫描的扫描仪,且所述扫描仪以其长度方向垂直于承载所述金属膜的基板的传送方向设置。
4.如权利要求1所述的金属蚀刻终点侦测方法,其特征在于:所述金属蚀刻终点侦测机包括一用于对金属膜进行扫描的扫描仪,且所述扫描仪的长度大于或等于承载所述金属膜的基板的宽度,以使所述扫描仪获得的所述扫描区域横跨所述基板的宽度。
5.如权利要求1所述的金属蚀刻终点侦测方法,其特征在于:所述预定比例为50%~75%。
6.一种金属蚀刻终点侦测机,其特征在于:包含:
获取模块,用于对金属膜进行扫描,以获取扫描区域中,所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例;
判断模块,用于判断所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例是否达到一预定比例;
确定模块,用于在所述判断模块判定所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例达到所述预定比例时,确定当前对金属膜已蚀刻的时间为该金属膜的蚀刻终点时间。
7.如权利要求6所述的金属蚀刻终点侦测机,其特征在于:若所述判断模块判定所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例未达到所述预定比例,则触发所述获取模块对所述金属膜进行扫描。
8.如权利要求6所述的金属蚀刻终点侦测机,其特征在于:所述获取模块包括:
扫描仪,用于对所述金属膜进行扫描,以获得所述金属膜的透光面积;
比例获取单元,用于获取所述扫描区域中,所述金属膜的所述透光面积占所述扫描区域的比例。
9.如权利要求8所述的金属蚀刻终点侦测机,其特征在于:所述扫描仪的长度大于或等于承载所述金属膜的基板的宽度,以使所述扫描仪获得的所述扫描区域横跨所述基板的宽度。
10.如权利要求6所述的金属蚀刻终点侦测机,其特征在于:所述预定比例为50%~75%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造