[发明专利]面向ZnO压电传感器制造的介电泳装配方法无效
| 申请号: | 201010574712.6 | 申请日: | 2010-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN102485641A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
| 发明(设计)人: | 田孝军;许可;董再励 | 申请(专利权)人: | 中国科学院沈阳自动化研究所 |
| 主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;H01L41/053;H01L41/22;G01L1/16 |
| 代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 俞鲁江 |
| 地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 面向 zno 压电 传感器 制造 电泳 装配 方法 | ||
技术领域
本发明涉及纳米操作领域,具体地说是一种面向ZnO压电传感器制造的介电泳装配方法。
背景技术
氧化锌(Znic oxide,缩写ZnO)拥有半导体、光电、压电、气敏、透明导电和对人体无害等诸多优良特性,是一种重要的宽禁带半导体功能材料。ZnO薄膜传感器是现阶段纳米科技研究的热点之一,其具有高灵敏度、高选择性、高响应速度、小体积、低能耗等优点。
一维ZnO纳米材料有优越的电子输运特性和良好的压电效应特性,将纳米线作为敏感元件,在纳米线表面受到外力的作用下时会发生机械变形,由于ZNO压电效应而产生表面电荷,测量电荷电势的大小可准确辨别受到外力的大小。
纳米材料的精确定位、操控和组装技术是纳米器件制作的一个共性难题。采用一般的“由下至上”方法制作一维纳米器件,由于纳米材料随机分布在衬底表面,给后续器件加工带来很大的困难。实现单根和多根纳米线的精确定位、操控和组装,达到规则排列的目的是制作纳米器件必须解决的技术难题,也是纳米技术规模化、商业化应用的关键技术之一。
发明内容
为解决上述问题,本发明的目的是提供一种面向ZnO薄膜压电传感器制造的介电泳装配技术。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种面向ZnO压电传感器制造的介电泳装配方法,利用ZnO纳米线作为敏感元件,利用ZnO纳米线表面受到外力的作用下时会发生机械变形,形成压电效应而产生表面电荷,通过测量电荷电势的大小准确辨别受到外力的大小,利用介电泳技术实现单根和多根ZnO纳米线准确装配到源极和漏极之间。
所述ZnO经预处理;所述预处理方法为:将酒精分析纯溶液与ZnO混合,经超声振荡和脉冲后,实现ZnO有效分散,即完成预处理;
所述酒精溶液为99.9%的分析纯溶液;所述ZnO与酒精分析纯溶液质量比为1000~1100:1;
所述预处理方法的具体步骤为:将经混合好的ZnO酒精溶液放入超声波振荡器中超声60-90分钟,加热到30 摄氏度,然后取出静止1小时后得到均匀半透明溶液,待用;
所述超声波振荡频率为2MHz,峰峰值电压幅度为10V,电泳持续时间为5秒。
在利用介电泳装配ZnO过程中,电场所需的交变电压信号及频率通过探针施加,电泳参数如电压、频率、持续时间等都可根据实验情况来调节与监控。在进行介电泳操作时,采用微量移液器取2微升预处理后的ZnO溶液,滴定到微电极间隙后,立即对该电极施加正弦交流信号,其频率为1MHz,峰峰值电压为10Vp-p。
本发明具有如下优点:本发明采用介电泳技术,解决了ZnO基纳米器件有效装配效率低的难题,具有不破坏ZnO本身物理、化学性质的特点,根据ZnO独特的物理化学特性,可测出各种力的微小变化;采用介电泳方法具有很高的可操作性与可重复性,为ZnO压电传感器的制造提供了新的可行技术途径。
附图说明
图1为本发明ZnO压电传感器基本结构图;
图2为本发明ZnO在电场中受介电泳力驱动原理图;
图3 为本发明ZnO经介电泳装配后定向排列在基片上的照片。
具体实施方式
本发明的ZnO压电传感器基本结构如图1所示;
图2为本发明ZnO在电场中受介电泳力驱动原理图;其原理为:在一定频率的空间非均匀电场作用下,ZnO会被极化而两端出现大小相等但符号相反的电荷,形成偶极子,由于两极所在位置的电场强度不同,造成粒子两端的受力不相等,从而在正电场力的作用下沿着电场强度增大的方向迁移。
实施例1
具体过程为:
1.制备分散混合溶液:将ZnO与纯度为99.9%以上的酒精溶液质量精确配比为1000:1混合;
2.采用超声波辅助分散:将ZnO与酒精混合溶液放入试管中,并放入超声波振荡器中超声60分钟,超声波振荡频率为2MHz,峰峰值电压幅度为10V,电泳持续时间为5秒;加热到30 摄氏度,而后取出静止1小时后得到均匀半透明溶液,待用;
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