[发明专利]制造非易失性存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体衬底之上形成隧道绝缘层；

在所述隧道绝缘层之上形成包含第一浓度的第一杂质离子的电荷陷阱层；

在所述电荷陷阱层之上形成包含第二浓度的第二杂质离子的补偿层；

使所述补偿层内的第二杂质离子向所述电荷陷阱层扩散；

去除所述补偿层；

在所述电荷陷阱层的表面上形成电介质层；以及

在所述电介质层上形成用于控制栅极的导电层。

2.如权利要求1所述的方法，在形成所述补偿层之前还包括以下步骤：

将所述隧道绝缘层和所述电荷陷阱层图案化，以使所述半导体衬底暴露；

刻蚀所暴露的所述半导体衬底以形成沟槽；以及

用隔离层填充所述沟槽。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述隔离层被形成为具有比所述电荷陷阱层的上表面低并且比所述隧道绝缘层的上表面高的上表面。

4.如权利要求2所述的方法，其中，在形成所述补偿层的期间，使图案化了的所述电荷陷阱层的表面氧化。

5.如权利要求2所述的方法，在将所述电荷陷阱层图案化之后，还包括以下步骤：

将图案化了的所述电荷陷阱层的表面氧化，来形成氧化物层；以及

去除所述氧化物层以减小所述电荷陷阱层的上侧的宽度。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述补偿层是由固溶体状态的磷硅酸盐玻璃或硼硅酸盐玻璃形成的。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述电荷陷阱层包括使用硅源气体和包含第一杂质离子的气体形成的掺杂的多晶硅层。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述电荷陷阱层包括通过向使用硅源气体形成的未掺杂的多晶硅层中注入所述第一杂质离子而形成的掺杂的多晶硅层。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一杂质离子包括3价离子或5价离子。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二浓度比所述第一浓度高。

11.如权利要求9所述的方法，其中，所述第二杂质离子具有与所述第一杂质离子相同的3价离子或5价离子。

12.一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体衬底之上形成隧道绝缘层；

在所述隧道绝缘层之上形成包含第一浓度的第一杂质离子的电荷陷阱层；

沿着所述电荷陷阱层的表面形成包含第二浓度的第二杂质离子的第一电介质层；

使所述第一电介质层内的第二杂质离子向所述电荷陷阱层扩散；

在所述第一电介质层之上层叠第二电介质层和第三电介质层；以及

在所述第三电介质层上形成用于控制栅极的导电层。

13.如权利要求12所述的方法，在形成所述第一电介质层之前，还包括以下步骤：

将所述隧道绝缘层和所述电荷陷阱层图案化，以使所述半导体衬底暴露；

刻蚀所暴露的所述半导体衬底以形成沟槽；以及

用隔离绝缘层填充所述沟槽。

14.如权利要求13所述的方法，其中，在形成所述第一电介质层期间，使图案化了的所述电荷陷阱层的表面氧化。

15.如权利要求13所述的方法，在将所述电荷陷阱层图案化之后，还包括以下步骤：

将图案化了的所述电荷陷阱层的表面氧化，来形成氧化物层；以及

去除所述氧化物层，以减小所述电荷陷阱层的上侧的宽度。

16.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一电介质层是由固溶体状态的磷硅酸盐玻璃或硼硅酸盐玻璃形成的。

17.如权利要求12所述的方法，其中，所述第二电介质层是由氮化物层形成的，所述第三电介质层是由氧化物层形成的。