[发明专利]一种细线条的制备方法

权利要求书

1.一种制备细线条的方法，其步骤包括：

(1)在衬底上制备侧墙工艺的支撑层，通过以下工艺步骤实现：

a)在衬底上淀积氮化硅薄膜；

b)在氮化硅薄膜上涂光刻胶，光刻定义出将要作为支撑层的区域；

c)干法Trimming光刻胶；

d)干法刻蚀工艺将光刻胶上的图形转移到氮化硅薄膜上；

e)去掉光刻胶，在衬底材料上制备出氮化硅支撑层；

(2)在衬底上制备氧化硅侧墙，该步骤主要包括以下工艺流程：

a)在衬底材料和作为支撑层的氮化硅薄膜上淀积氧化硅薄膜；

b)干法刻蚀工艺刻蚀氧化硅；

c)湿法腐蚀氮化硅支撑层；

d)湿法Trimming氧化硅侧墙；

(3)在衬底材料上实现LER得到明显改善的纳米线条，具体包括如下步骤：

a)各向异性干法刻蚀衬底材料，得到衬底材料的纳米细线条；

b)最后通过湿法腐蚀工艺去除顶层的氧化硅掩模。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用氧化硅材料替换氮化硅材料作为支撑层，同时，用氮化硅材料替换氧化硅材料作为侧墙。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，淀积氮化硅和氧化硅是采用低压化学气相沉积法。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，刻蚀氮化硅、氧化硅和衬底材料采用的是各向异性干法刻蚀技术。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，湿法Trimming氮化硅采用加热的浓磷酸，湿法Trimming氧化硅采用氢氟酸和氟化铵混合液，湿法腐蚀氧化硅采用缓冲的氢氟酸。