[发明专利]太阳能电池制造方法及根据该制造方法制造的太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池，尤其涉及制造太阳能电池的太阳能电池制造方法及根据该制造方法制造的太阳能电池。

背景技术

太阳能电池为一种将太阳光转换成电能的装置，使用2个种类的半导体发电，即P型半导体和N型半导体。

光照到太阳能电池，则在内部产生电子和空穴，产生的电荷移动至P型半导体、N型半导体。并且根据此现象，在P型半导体和N型半导体之间产生电位差(光电动势)，此时将负载连接至太阳能电池，则会出现电流流动。

根据使用的材质，太阳能电池大致分为使用硅材质的太阳能电池和使用化合物材质的太阳能电池。进一步地，硅材质的太阳能电池分为单晶及多晶的结晶系硅和非结晶系硅。

目前，大多数太阳能发电系统一般使用硅材质的太阳能电池。

尤其，结晶系硅材质的单晶及多晶太阳能电池具有转换率高、稳定性高，因此广泛使用。

其中，单晶硅材质的太阳能电池虽然具有效率高的优点，但是具有制造费用高的缺点。

相对于此，与单晶硅基板相比，多晶硅材质的太阳能电池虽然具有效率低的缺点，但是具有制造费用低廉并易于大量化生产的优点。

如上所述的结晶系硅材质的太阳能电池，特别是多晶硅材质的太阳能电池由于具有制造费用低廉并易于大量化生产的优点，因此其需求增大。但是为了弥补其效率低的缺点，需要研发出多种解决方案。

发明内容

本发明目的在于提供太阳能电池制造方法及根据该制造方法制造的太阳能电池，通过在基板表面形成多个微突起以显著地降低反射率，从而提高太阳能电池的效率。

为了实现本发明的上述目的，本发明公开了一种使结晶系硅基板的受光面粗糙化的太阳能电池制造方法，其特征在于，将多个基板装载于载体，以形成有多个通孔的覆盖板覆盖装载于所述载体的基板之后，将所述载体搭载于载体支撑部，实施干蚀刻以在所述基板的受光面形成多个微突起。

其中，在所述真空腔室外部或内部，可以以所述覆盖板进行覆盖。

其中，形成于所述覆盖板的通孔可以为狭缝。

其中，所述覆盖板可以包括：板状部件，形成有多个所述通孔；以及保持间隔部件，设置在所述板状部件的边缘，用于保持所述板状部件和基板之间的间隔。

其中，所述保持间隔部件可以为绝缘材质，具体地可以为透明的石英材质。

其中，所述板状部件的底面至所述基板的表面之间的距离优选为5.0mm～30.0mm。

并且，其中所述多个通孔的开口总和优选为所述板状部件表面积的5％～40％。

其中，所述干蚀刻可以为反应离子蚀刻。

其中，在所述基板的受光面形成微突起之后，可以去除附着于基板的表面的化合物。

本发明还公开了根据上述的太阳能电池制造方法制造的太阳能电池。

本发明的太阳能电池制造方法，在以形成有多个通孔的覆盖板覆盖基板的状态下，实施干蚀刻，从而能够在基板的受光面形成多个均匀的微突起。

尤其，本发明的基板通过在受光面均匀地形成微突起，能够显著地降低基板的反射率，进而使太阳能电池的效率极大提高。

附图说明

图1为本发明实施例的太阳能电池的概念示意图；

图2为本发明实施例的太阳能电池制造方法所使用的蚀刻装置截面图；

图3为图2的蚀刻装置所使用的覆盖板立体图。

具体实施方式

以下，参考附图，对本发明的太阳能电池制造方法及根据该制造方法制造的太阳能电池进行详细说明。

本发明的太阳能电池制造方法，为通过干蚀刻在硅基板110的受光面形成多个微突起220以降低反射率的太阳能电池制造方法，其特征在于，如图3所示，以覆盖板240覆盖基板110后，实施干蚀刻，从而在基板110的受光面形成多个微突起220。

首先，对适用本发明的太阳能电池进行说明。

适用本发明的太阳能电池100的一实施例，如图1所示，包括：硅基板110、形成于硅基板110的受光面的半导体层120、形成于半导体层120上的防反射膜130、形成于防反射膜130上的第一电极140、以及形成于硅基板110底面的第二电极150。

硅基板110可以为单晶或多晶硅，优选为多晶硅，其具有P型或N型半导体特性。此时，半导体层120的半导体特性，与硅基板110的半导体特性相反。

硅基板110为单晶时，由引上法所形成；为多晶时，切割由铸造法形成的硅锭而制造。