[发明专利]太阳能电池制造方法及根据该制造方法制造的太阳能电池

权利要求书

1.一种使结晶系硅基板的受光面粗糙化的太阳能电池制造方法，其特征在于，

多个基板装载于载体，

以形成有多个通孔的覆盖板覆盖装载于所述载体的基板，

将所述载体搭载于载体支撑部，

实施干蚀刻以在所述基板的受光面形成多个微突起。

2.根据权利要求1所述的使结晶系硅基板的受光面粗糙化的太阳能电池制造方法，其特征在于，在所述真空腔室外部或内部，以所述覆盖板进行覆盖。

3.根据权利要求1所述的使结晶系硅基板的受光面粗糙化的太阳能电池制造方法，其特征在于，形成于所述覆盖板的通孔为狭缝。

4.根据权利要求1所述的使结晶系硅基板的受光面粗糙化的太阳能电池制造方法，其特征在于，所述覆盖板包括：

板状部件，形成有多个所述通孔；以及

保持间隔部件，设置在所述板状部件的边缘，用于保持所述板状部件和基板之间的间隔。

5.根据权利要求4所述的使结晶系硅基板的受光面粗糙化的太阳能电池制造方法，其特征在于，所述保持间隔部件为绝缘材质。

6.根据权利要求4所述的使结晶系硅基板的受光面粗糙化的太阳能电池制造方法，其特征在于，所述保持间隔部件为透明的石英材质。

7.根据权利要求4所述的使结晶系硅基板的受光面粗糙化的太阳能电池制造方法，其特征在于，所述板状部件的底面至所述基板的表面之间的距离为5.0mm～30.0mm。

8.根据权利要求4所述的使结晶系硅基板的受光面粗糙化的太阳能电池制造方法，其特征在于，所述多个通孔的开口总和为所述板状部件表面积的5％～40％。

9.根据权利要求1所述的使结晶系硅基板的受光面粗糙化的太阳能电池制造方法，其特征在于，所述干蚀刻为反应离子蚀刻。

10.根据权利要求1所述的使结晶系硅基板的受光面粗糙化的太阳能电池制造方法，其特征在于，在所述基板的受光面形成微突起之后，去除附着于基板表面的化合物。

11.一种根据权利要求1～10任意一项所述的太阳能电池制造方法制造的太阳能电池。