[发明专利]用于防止焊盘区中的裂缝的半导体装置及其制造方法

说明书

本申请要求于2010年5月10日在韩国知识产权局提交的第2010-43415号韩国专利申请的优先权，该申请的内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明的多个方面涉及一种半导体装置，更具体地讲，涉及一种防止焊盘区上出现裂缝的半导体装置及其制造方法。

背景技术

通常，半导体装置具有将集成电路与封装体连接的焊盘区，在引线接合或探查(probing)的工艺中焊盘区常常受到外力的压迫。例如，在引线接合的过程中焊盘连接到引导部(lead)的同时，特定的压力被施加到焊盘区，并且在探查的过程中探针的针部对焊盘区施加特定的压力。因此，焊盘区上出现机械应力，如果该应力超过特定水平，则焊盘区上出现裂缝。

虽然焊盘由具有延展性的金属构成，但是焊盘之间的绝缘层由脆性的介电材料构成。因此，在焊盘之间的绝缘层上更加经常地出现裂缝。一旦出现细微的裂缝，该裂缝就由于机械应力而继续延伸，从而导致半导体装置中的缺陷。

因此，需要一种防止半导体装置的焊盘区上出现裂缝的方法。

发明内容

本发明的多个方面涉及一种防止焊盘区上出现裂缝的半导体装置及其制造方法。

根据示例性实施例的半导体装置包括：下焊盘；上焊盘，所述上焊盘形成在下焊盘的上方；绝缘层，所述绝缘层形成在下焊盘和上焊盘之间；通路网，所述通路网在绝缘层中用于将下焊盘和上焊盘电连接，所述通路网具有网状，在所述网状中单元格连接到与该单元格相邻的多个单元格以形成网结构；至少一个通路孔，在通路网的该单元格中用于将下焊盘和上焊盘电连接。

所述至少一个通路孔可包括多个通路孔，所述多个通路孔关于通路网的该单元格的中心对称地设置。

所述至少一个通路孔可包括第一通路孔，第一通路孔可设置在通路网的该单元格的中心。

所述至少一个通路孔还可包括第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔，第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔可关于第一通路孔对称地设置。

通路网的该单元格可具有多边形的形状。

通路网的该单元格可具有从由三角形、矩形、六边形和八边形组成的组中选择的形状。

通路网的该单元格可具有圆形形状。

形成通路网和通路网的该单元格中的所述至少一个通路孔的导电金属占该单元格的整体面积的比率可以是大约10％至75％。

下焊盘、上焊盘、绝缘层和通路网作为整体可以以两层或多于两层的层堆叠。

下焊盘可形成在与所述半导体装置的基底间隔开的另一绝缘层上。

形成有电子电路的电路区可设置在下焊盘的下方。

根据示例性实施例的制造半导体装置的方法包括：形成下焊盘；在下焊盘上形成绝缘层；在绝缘层中形成通路网，并形成至少一个通路孔，其中，所述通路网具有网状，在所述网状中单元格连接到与该单元格相邻的多个单元格以形成网结构，所述至少一个通路孔在该单元格中；在通路网上形成上焊盘。

所述至少一个通路孔可包括多个通路孔，所述多个通路孔关于通路网的该单元格的中心对称地形成。

形成所述至少一个通路孔的步骤可包括：在通路网的该单元格的中心形成第一通路孔。

形成所述至少一个通路孔的步骤还可包括：关于第一通路孔对称地形成第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔。

通路网的该单元格可被形成为具有多边形的形状。

通路网的该单元格可被形成为从由具有三角形、矩形、六边形和八边形组成的组中选择的形状。

通路网的该单元格可被形成为具有圆形形状。

形成通路网和通路网的该单元格中的所述至少一个通路孔的导电金属占该单元格的整体面积的比率可以是大约10％至75％。

可重复形成下焊盘、绝缘层、通路网和上焊盘的操作，使得下焊盘、绝缘层、通路网和上焊盘作为整体可堆叠成至少两层。

形成下焊盘的步骤可包括在与所述半导体装置的基底间隔开的另一绝缘层上形成下焊盘。

所述方法还可包括：在形成下焊盘之前，在将要形成有下焊盘的区域的下方形成电子电路。

附图说明

通过参照附图描述特定的本公开，本公开的上述和/或其它方面将会更加清楚，在附图中：

图1是示出根据示例性实施例的半导体装置的剖视图；

图2A至图2F是半导体装置的沿着图1中的线A-A′截取的俯视图；

图3A至图3G是示出制造图1中的半导体装置的工艺的示意图；

图4是根据另一示例性实施例的半导体装置的剖视图。