[发明专利]用于防止焊盘区中的裂缝的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

下焊盘；

上焊盘，所述上焊盘形成在下焊盘的上方；

绝缘层，所述绝缘层形成在下焊盘和上焊盘之间；

通路网，所述通路网在绝缘层中用于将下焊盘和上焊盘电连接，所述通路网具有网状，在所述网状中单元格连接到与该单元格相邻的多个单元格以形成网结构；

至少一个通路孔，在通路网的该单元格中用于将下焊盘和上焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个通路孔包括多个通路孔，所述多个通路孔关于通路网的该单元格的中心对称地设置。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个通路孔包括第一通路孔，第一通路孔设置在通路网的该单元格的中心。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述至少一个通路孔还包括第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔，第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔关于第一通路孔对称地设置。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，通路网的该单元格具有多边形的形状。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，通路网的该单元格具有三角形、矩形、六边形和八边形中的至少一种形状。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，通路网的该单元格具有圆形形状。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，形成通路网和通路网的该单元格中的所述至少一个通路孔的导电金属占该单元格的整体面积的比率是10％至75％。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，下焊盘、上焊盘、绝缘层和通路网作为整体以两层或多于两层的层堆叠。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，下焊盘形成在与所述半导体装置的基底间隔开的另一绝缘层上。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，形成有电子电路的电路区设置在下焊盘的下方。

12.一种制造半导体装置的方法，包括：

形成下焊盘；

在下焊盘上形成绝缘层；

在绝缘层中形成通路网，并形成至少一个通路孔，其中，所述通路网具有网状，在所述网状中单元格连接到与该单元格相邻的多个单元格以形成网结构，所述至少一个通路孔在该单元格中；

在通路网上形成上焊盘。

13.根据权利要求12所述的制造半导体装置的方法，其中，所述至少一个通路孔包括多个通路孔，所述多个通路孔关于通路网的该单元格的中心对称地形成。

14.根据权利要求12所述的制造半导体装置的方法，其中，形成所述至少一个通路孔的步骤包括：在通路网的该单元格的中心形成第一通路孔。

15.根据权利要求14所述的制造半导体装置的方法，其中，形成所述至少一个通路孔的步骤还包括：关于第一通路孔对称地形成第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔。

16.根据权利要求12所述的制造半导体装置的方法，其中，通路网的该单元格被形成为具有多边形的形状。

17.根据权利要求16所述的制造半导体装置的方法，其中，通路网的该单元格被形成为具有三角形、矩形、六边形和八边形中的至少一种形状。

18.根据权利要求12所述的制造半导体装置的方法，其中，通路网的该单元格被形成为具有圆形形状。

19.根据权利要求12所述的制造半导体装置的方法，其中，形成通路网和通路网的该单元格中的所述至少一个通路孔的导电金属占该单元格的整体面积的比率是10％至75％。

20.根据权利要求12所述的制造半导体装置的方法，其中，重复形成下焊盘、绝缘层、通路网和上焊盘的操作，使得下焊盘、绝缘层、通路网和上焊盘作为整体堆叠成至少两层。

21.根据权利要求12所述的制造半导体装置的方法，其中，形成下焊盘的步骤包括在与所述半导体装置的基底间隔开的另一绝缘层上形成下焊盘。

22.根据权利要求21所述的制造半导体装置的方法，其中，所述制造半导体装置的方法还包括：在形成下焊盘之前，在将要形成有下焊盘的区域的下方形成电子电路。