[发明专利]一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及太阳能电池硅片加工领域，尤其是涉及一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法。

【背景技术】

公知的，太阳能电池的制作流程一般为清洗制绒——扩散制结——边缘刻蚀——去磷硅玻璃——PECVD镀膜——丝网印刷——烧结——测试；在这些工序中，扩散制结工序对太阳能电池的效率起有比较重要的作用，因此扩散制结属于一道重要的工序；扩散过程中发生的反应如下： 4POCl₃+5O₂→P₂O₅+6Cl₂，即由POCl₃分解产生的P₂O₅淀积在硅片表面，再使其与Si反应生成SiO₂和磷原子：2P₂O₅+5Si→5SiO₂+4P，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO₂，通称为磷硅玻璃，简称PSG；由于通过扩散在硅片表面形成的PSG严重阻碍后续的工艺,影响电池片的效率，因此必须对扩散后形成的PSG进行去除；

目前，常规的去PSG设备采用槽式去PSG隧道烘干设备，一般的流程为：HF酸浸泡——纯水冲洗——热水预脱水——烘干；在这个过程中，由于热水预脱水不可能完全的将水脱干，而未完全脱干的水在烘干后的硅片表面不能够被发现，但这些水份会造成硅片在后道工序PECVD镀膜时形成的蓝色Si₃N₄膜表面产生白色痕迹，这种白色的痕迹一般称为水渍，对电池片的外观影响极大，因此需要对此类硅片进行返工；由于在返工时，需要将这些返工硅片表面形成的Si₃N₄膜去掉，因此严重影响了生产线的正常生产，同时返工硅片的存在也导致了成本的大量增加；

针对槽式去PSG设备采用热水慢提拉产生水渍的问题，现有的解决办法是放弃隧道烘干，而采用甩干机进行甩干；甩干机是利用硅片高速旋转时产生的离心力将表面残留的水去掉，与此同时，再采用密闭腔体内喷水、喷氮的方法来保证硅片的洁净度；这种方法虽然能较好的解决水渍问题，但是由于现在市场上槽式去PSG设备一般都采用烘干，如改用甩干机的话就需要额外单独购买相应的甩干设备，这就相当于进行了二次投资，增加了设备成本。

【发明内容】

为了克服背景技术中的不足，本发明提供了一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，所述的方法在不增加设备投资的情况下，仅通过对现有工艺的改进，利用具有快速挥发性的无水乙醇代替热水进行脱水，从而有效的解决了去PSG产生水渍的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：

一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，所述的方法采用如下步骤：

a．           将表面有PSG的硅片放到硅片承载盒； 

b．          将装有硅片的承载盒放入D-1清洗液中清洗去除硅片表面的PSG； 

c．          将硅片放入18MΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D-1清洗液； 

d．          将硅片放入无水乙醇中脱水3-5分钟； 

e．           将脱水后的硅片放入烘箱烘干；

f．            对烘干后的硅片进行后道工序的生产。

所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，所述的D-1清洗液由氢氟酸：纯水按照1：10的体积比制成

所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，将装有硅片的承载盒放入D-1清洗液中清洗去除表面的PSG，时间为3-7分钟；

所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，将硅片放入18MΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D-1清洗液，时间为5-15分钟；

所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，将脱水后的硅片放入烘箱烘干，时间为5-10分钟，烘箱温度为70-100度。

由于采用如上所述的技术方案，本发明具有如下有益效果：