[发明专利]一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法

权利要求书

1.一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是：所述的方法采用如下步骤：

A、将表面有PSG的硅片放到硅片承载盒； 

B、将装有硅片的承载盒放入D-1清洗液中清洗去除硅片表面的PSG； 

C、将硅片放入18MΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D-1清洗液； 

D、将硅片放入无水乙醇中脱水3-5分钟； 

E、将脱水后的硅片放入烘箱烘干；

F、去PSG工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。

2.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是：所述的D-1清洗液由氢氟酸：纯水按照1：10的体积比制成。

3.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是：将装有硅片的承载盒放入D-1清洗液中清洗去除表面的PSG，时间为3-7分钟。

4.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是：将硅片放入18MΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D-1清洗液，时间为5-15分钟。

5.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是：将脱水后的硅片放入烘箱烘干，时间为5-10分钟，烘箱温度为70-100度。