[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备

说明书

技术领域

本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。

背景技术

已知包括在基体上由非晶材料构成的光导电层(感光层)的电子照相感光构件，特别地，已商购引入包括通过层形成技术如CVD或PVD在金属基体上形成的氢化非晶硅(下文中也称作“a-Si:H”)的光导电层的电子照相感光构件。在下文中，电子照相感光构件可简称作“感光构件”。此外，设置有由a-Si:H构成的光导电层的电子照相感光构件可称作“a-Si:H感光构件”。此外，由a-Si:H构成的光导电层可称作“a-Si:H光导电层”。如图4中所示，此类a-Si:H感光构件4000的基本构造包括在导电性基体4001上形成的a-Si:H光导电层4002以及在光导电层4002上形成的表面层4003。表面层4003包含氢化非晶碳化硅(下文中也称作“a-SiC:H”)。在下文中，由a-SiC:H构成的表面层可称作“a-SiC:H表面层”。

表面层4003为关系到电子照相特性的重要层。表面层所需的特性包括耐磨耗性、耐湿性、电荷保持性和透光性。由a-SiC:H构成的表面层特别在耐磨耗性上优异并提供良好的上述特性之间的平衡，因此已主要用于具有高处理速度的电子照相设备。然而，当由a-SiC:H构成的常规表面层用于高湿环境中时，可能引起图像缺失(下文中称作“高湿图像缺失”)。

高湿图像缺失为当在高湿环境下重复图像形成不久再次输出图像时在电子照相法中发生的图像缺陷，在该图像缺陷中文字变得模糊或文字没有被打印。这种现象部分由吸附于感光构件表面上的水分引起。为了防止发生高湿图像缺失，通常做法是，通过感光构件加热器不断加热电子照相感光构件，由此减少或除去吸附于感光构件表面上的水分。

另一方面，已提出不使用感光构件加热器来防止高湿图像缺失的常规技术。日本专利3124841描述了在a-Si:H感光构件中形成a-SiC:H表面层的技术，该a-SiC:H感光构件由在基体上依次形成的光导电层和a-SiC:H表面层组成，其中a-SiC:H表面层中的硅原子、碳原子以及氢或氟原子的原子密度降低至预定值以下。在日本专利3124841中公开的技术通过降低a-SiC:H表面层中各原子的原子密度至预定值以下赋予a-SiC:H表面层相对粗糙的层结构，由此使得表面层在清洁过程中容易被刮擦。因此，记载了总是获得具有减少水分吸附的新表面，由此使得防止高湿图像缺失。

另一方面，从电荷保持性的观点，已提出试图改进a-SiC:H表面层。日本专利公布H5-018471提出由在基体上依次形成的a-Si:H光导电层和两层a-SiC:H表面层组成的a-Si:H感光构件。在日本专利公开H5-018471中公开的技术中，与光导电层侧的表面层相比，该两层a-SiC:H表面层的最外表面具有较高的缺陷密度。日本专利公开H5-018471记载了最表面层中增加的缺陷密度使得能够形成确保耐磨耗性同时改进电荷迁移性且防止残余电势增加所需的层厚度。此外，日本专利公开H5-018471记载了在光导电层侧上表面层中降低的缺陷密度使其能够确保电荷保持性。

近年来，已要求在电子照相法中满足高速化、高品质化和长寿命化的需要，同时从环境友好的观点实现节电性。从这点来看，期望进一步改进感光构件。例如，关于耐湿性，需要提高图像品质，这是因为高湿图像缺失可引起图像品质劣化。如果安装感光构件加热器以防止高湿图像缺失，则即使当电子照相设备不运行时也需要相当量的待机电力。此外，在日本专利3124841中公开的技术中，需要以一定水平的速度来磨耗电子照相感光构件表面，由此特别在高速电子照相法中耐久性趋于损失。耐久性损失的可能原因包括压伤和膜剥离以及表面磨耗。

压伤是当机械应力施加至电子照相感光构件时在图像上出现图像缺陷如黑条纹或白条纹的现象。在电子照相感光构件的正常使用中压伤几乎不发生，但是在打印纸中包含异物时的罕见场合下可能发生。特别当输出半色调图像时，在高精细电子照相法中，压伤趋于突出。因此，一旦它发生，压伤将降低图像品质，并可导致缩短电子照相感光构件的寿命。膜剥离是部分表面层剥离的现象。一旦在电子照相感光构件的图像形成区域中发生膜剥离，难以继续使用电子照相感光构件。假定其中不使用加热器的构造，存在如下需求：以更高水平满足耐久性和透光性以支持最新电子照相法同时确保这些性能。通过日本专利3124841和日本专利公布H5-018471中描述的技术单独改进这些性质中的一些。然而，日本专利3124841和日本专利公布H5-018471对如何以更高水平满足这些性能都没有给出任何技术暗示。

发明内容