[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备

权利要求书

1.一种电子照相感光构件，其包含：光导电层，在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅构成的中间层，和在所述中间层上由氢化非晶碳化硅构成的表面层，其中

在所述表面层中，碳原子数(C)与硅原子数(Si)和碳原子数(C)的和的比(C/(Si+C)；C2)为0.61以上至0.75以下，硅原子的原子密度与碳原子的原子密度的和(D2)为6.60×10²²原子/cm³以上；

在所述中间层中，碳原子数(C)与硅原子数(Si)和碳原子数(C)的和的比(C/(Si+C)；C1)以及硅原子的原子密度与碳原子的原子密度的和(D1)分别从所述光导电层侧向所述表面层侧连续增加而不超过C2和D2；和

所述中间层具有其中C1为0.25以上至C2以下同时D1为5.50×10²²原子/cm³以上至6.45×10²²原子/cm³以下的区域，所述区域沿所述中间层的层厚度方向为150nm以上。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述中间层具有其中C1为0.25以上至C2以下同时D1为5.50×10²²原子/cm³以上至6.45×10²²原子/cm³以下的连续区域，所述连续区域沿所述中间层的层厚度方向为150nm以上。

3.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述表面层中氢原子数(H)与硅原子数(Si)、碳原子数(C)和氢原子数(H)的和的比(H/(Si+C+H))为0.30以上至0.45以下。

4.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述表面层中硅原子的原子密度与碳原子的原子密度的和(D2)为6.81×10²²原子/cm³以上。

5.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述表面层的拉曼光谱中1390cm^-1的峰强度I_D与1480cm^-1的峰强度I_G的比为0.20以上至0.70以下。

6.一种电子照相设备，其包含根据权利要求1所述的电子照相感光构件。