[发明专利]半导体装置和显示装置有效

专利信息
申请号: 201010566789.9 申请日: 2010-11-19
公开(公告)号: CN102097488A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 上妻宗广;黑川义元;池田隆之 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱海煜;王忠忠
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 显示装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

输入部分;以及

在所述输入部分中提供的光电传感器,

其中,所述半导体装置配置成按照所述光电传感器上的入射光、通过测量所述入射光来改变所述光电传感器的灵敏度。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述光电传感器的灵敏度通过调整施加到所述光电传感器的电压来改变。

3.如权利要求1所述的半导体装置,

其中,所述光电传感器包括晶体管以及电连接到所述晶体管的栅极的光电二极管,以及

其中,所述光电传感器的灵敏度通过调整施加到所述光电二极管的电压来改变。

4.如权利要求1所述的半导体装置,

其中,所述光电传感器包括晶体管以及电连接到所述晶体管的栅极的光电二极管,以及

所述光电传感器的灵敏度通过调整施加在所述晶体管的源极与漏极之间的电压来改变。

5.如权利要求1所述的半导体装置,

其中,所述光电传感器具有执行复位操作、累积操作和选择操作的功能,以及

所述光电传感器的灵敏度通过调整用于累积操作的时间来改变。

6.一种显示装置,包括:

显示面板;以及

所述显示面板中提供的光电传感器,

其中,所述显示装置配置成按照所述光电传感器上的入射光、通过测量所述入射光来改变所述光电传感器的灵敏度。

7.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述显示面板包括像素,并且所述光电传感器在所述像素中提供。

8.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述显示面板包括像素电路,其中包含以矩阵设置的多个像素,并且所述光电传感器在所述像素电路外部提供。

9.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述光电传感器的灵敏度通过调整施加到所述光电传感器的电压来改变。

10.如权利要求6所述的显示装置,

其中,所述光电传感器包括晶体管以及电连接到所述晶体管的栅极的光电二极管,以及

其中,所述光电传感器的灵敏度通过调整施加到所述光电二极管的电压来改变。

11.如权利要求6所述的显示装置,

其中,所述光电传感器包括晶体管以及电连接到所述晶体管的栅极的光电二极管,以及

所述光电传感器的灵敏度通过调整施加在所述晶体管的源极与漏极之间的电压来改变。

12.如权利要求6所述的显示装置,

其中,所述光电传感器具有执行复位操作、累积操作和选择操作的功能,以及

所述光电传感器的灵敏度通过调整用于累积操作的时间来改变。

13.一种显示装置,包括:

显示面板;

所述显示面板中提供的像素;以及

所述像素中提供的光电传感器,

其中,所述显示装置配置成在执行第二成像之前,按照所述光电传感器上的入射光、通过在所述光电传感器中执行第一成像以生成所检测物体的图像并且根据所述图像测量所述入射光,来改变所述光电传感器的灵敏度。

14.如权利要求13所述的显示装置,其中,所述光电传感器的灵敏度通过调整施加到所述光电传感器的电压来改变。

15.如权利要求13所述的显示装置,

其中,所述光电传感器包括晶体管以及电连接到所述晶体管的栅极的光电二极管,以及

所述光电传感器的灵敏度通过调整施加到所述光电二极管的电压来改变。

16.如权利要求13所述的显示装置,

其中,所述光电传感器包括晶体管以及电连接到所述晶体管的栅极的光电二极管,以及

所述光电传感器的灵敏度通过调整施加在所述晶体管的源极与漏极之间的电压来改变。

17.如权利要求13所述的显示装置,

其中,所述光电传感器具有执行复位操作、累积操作和选择操作的功能,以及

所述光电传感器的灵敏度通过调整用于累积操作的时间来改变。

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