[发明专利]带有减小的栅极电阻的字线驱动器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极导体，形成在基板上的氧化区域上方，所述栅极导体具有接触点；

第二导体，与所述接触点相连接，并且延伸穿过所述氧化区域的宽度，所述第二导体的电阻比所述栅极导体的电阻低；以及

第三导体，是字线导体；

其中所述第二导体设置为不与所述字线导体交叉。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括第四导体，能够与具有预设电压的电压节点相连接，其中所述第二导体和所述第四导体彼此形成在同一层内。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括第五导体和第六导体，彼此由相同材料形成，所述第五导体和所述第六导体形成在所述氧化区域上方的第一金属层，所述第五导体与所述第四导体通过第一通孔相连接。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述字线导体与所述第六导体通过第二通孔相连接。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二导体和所述字线导体形成在比第一层更高的第二层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导体设置为围绕所述字线导体的之字形结构。

7.一种字线驱动器，包括：

包括第一导体的第一栅极接触点，；

NMOS晶体管，包括NMOS氧化区域，所述NMOS晶体管与所述栅极接触点相连接；

PMOS晶体管，包括PMOS氧化区域，所述PMOS晶体管与所述NMOS晶体管相连接；以及

通过为字线导体的相应的第二导体和第三导体在所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的各个漏极上提供字线，所述字线导体形成在与所述第一导体相同的金属层中；

其中所述第一导体延伸穿过所述NMOS氧化区域的宽度和所述PMOS氧化区域的宽度，并且设置为不与所述字线导体交叉。

8.根据权利要求10所述的字线驱动器，进一步包括在所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管之间的第二栅极接触点，所述第二栅极接触点与所述第一导体通过通孔连接。

9.根据权利要求10所述的字线驱动器，其中所述NMOS晶体管包括能够与所述NMOS晶体管的源极处的参考电压相连接的第四导体，并且所述PMOS晶体管包括能够与所述PMOS晶体管的源极处的电源电压相连接的第五导体，其中所述第四导体和所述第五导体形成在与所述第一导体、所述第二导体、和所述第三导体相同的金属层中。

10.一种半导体器件，包括：

形成在基板中的多个掺杂区域；

在所述基板上方的氧化区域；

在所述氧化区域上方的层间介电层；

置于所述氧化区域上的第一导体和第二导体，所述第一导体和所述第二导体置于多个掺杂区域中的相应的第一掺杂区域和第二掺杂区域上方；

第三导体，所述第三导体是通过第一通孔与所述第二导体连接的字线导体；以及

第四导体，形成在所述层间介电层中，所述第四导体延伸穿过所述氧化区域的宽度，所述第四导体设置为不与所述字线导体相交叉；

第五导体，与所述第一导体通过第二通孔相连接的，其中所述第五导体能够与具有预设电压的电压节点相连接。