[发明专利]接地参考电压感测放大器电路及其操作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种接地参考电压感测放大器。

背景技术

接地参考电压感测放大器是使得位元线(例如位元线BL与BLB)在读取或写入之前充电到接地参考电压VSS而非供应电压VDD的放大器。因为充电是在读取或写入之前完成，所以充电位元线通常称为预充电。用于内嵌式动态随机存取存储器(eDRAM)的传统VSS感测放大器中，因为位元线BL与BLB是预充电到电压VSS，所以当存储单元储存高逻辑数据时(例如高电位)，电流会由存储单元流向低逻辑电平(例如低电位)的位元线。

发明内容

为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种接地参考电压感测放大器电路，包括：一第一数据线；一第二数据线；一感测电路，耦接该第一数据线及该第二数据线；一节点，用于选择性地耦接至少三个电压源，所述至少三个电压源包括一第一电压源、一第二电压源与一第三电压源；该第一电压源用于供应一保留电压到该节点；该第二电压源用于供应一接地参考电压到该节点；以及该第三电压源用于供应一参考电压到该节点；以及一第一开关及一第二开关，用于接收各自的第一控制信号及第二控制信号，且传送在该节点的一电压到该各自的第一数据线及第二数据线。

本发明还提供一种接地参考电压感测放大器电路，包括：一存储单元；一第一数据线，电耦接到该存储单元；一第二数据线；一节点，用于选择性地提供一节点电压到该第一数据线及该第二数据线；一感测电路，耦接该第一数据线及该第二数据线；一第一开关装置，具有一第一节点、一第二节点与一第三节点；一第二开关装置，具有一第四节点、一第五节点以及一第六节点；该第一节点耦接该第一数据线；该第二节点用于接收一第一控制信号；该第三节点耦接该第四节点且形成一参考节点；该第五节点用于接收一第二控制信号；该第六节点耦接该第二数据线；以及一第三开关装置，耦接该第一数据线及该第二数据线，用于接收一第三控制线，且当该存储单元在保留模式时，用于供应一保留电压值到该第一数据线与该第二数据线。

本发明提供一种操作接地参考感测放大器的方法，包括：施加一保留电压值到一第一位元线、一第二位元线、一第一供应电源线及一第二供应电源线；识别用于存取的一存储单元；施加一电压VSS值到该第一位元线、该第二位元线、该第一供应电源线及该第二供应电源线；电连接该第一位元线到该存储单元，及施加一参考电压值到该第二位元线，借此发展该第一位元线及该第二位元线之间的一电压裂痕；以及断开该第二位元线与该参考电压，以及施加一运算电压值到该第一供应电源线，借此更近一步发展该电压裂痕。

本发明提供的电路及方法，能够改善用在eDRAM的传感放大器的保留性能。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的图，详细说明如下。

附图说明

图1为一示意图，是显示依据本发明实施例的用于存储单元的感测放大器的实例的电路；

图2为一流程图，是依据实施例说明操作图1的电路的方法；

图3为一波形图，是根据实施例说明图1的电路的操作；以及

图4为一示意图，是根据实施例说明实例的电路。

【主要附图标记说明】

100～电路；

N1...N12～晶体管；

MC～存储单元；

P1...P2～晶体管；

PWPRT～读写端口；

SENPAIR～感测对；

SENAMP～感测放大器；

S205、S210、S215、S220、S225～步骤

具体实施方式

在图中说明的实施例或实例以特定语言公开于下。可了解到实施例与实例不是要用于限制。在公开的实施例中的任何变化与变更，以及在文件中公开的原理应用可被认定为对于该领域普通技术人员而言是正常发生的。附图标记可能在整体实施例中重复，但不需要一个实施例的特征应用于其他实施例中，即使它们共用相同的附图标记。

一些实施例可能具有一个或以下优点及/或特征的组合。当存储器是在休息模式时(例如数据保留模式)，位元线会在特定电压电平(例如1/2VDD)。当位元线BL与BLB在保留周期上升到大约1/2VDD时，因为漏电流降低所以可改善用在eDRAM的感测放大器的保留性能。以纳秒范围来看，因为相较于读取或写入存取周期而言保留周期长(可到毫秒)，降低漏电流会大量降低功率损耗，相反的，会因为漏电流导致功率损耗。

图1是电路图，根据实施例说明被用于存储单元MC的感测放大器SENAMP。