[发明专利]接地参考电压感测放大器电路及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201010563348.3 申请日: 2010-11-25
公开(公告)号: CN102376339A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 欧图尔·卡图契;戈马克·麦克·欧康诺 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C11/4063
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 接地 参考 电压 放大器 电路 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种接地参考电压感测放大器电路,包括:

一第一数据线;

一第二数据线;

一感测电路,耦接该第一数据线及该第二数据线;

一节点,用于选择性地耦接至少三个电压源,所述至少三个电压源包括一第一电压源、一第二电压源与一第三电压源;该第一电压源用于供应一保留电压到该节点;该第二电压源用于供应一接地参考电压到该节点;以及该第三电压源用于供应一参考电压到该节点;以及

一第一开关及一第二开关,用于接收各自的第一控制信号及第二控制信号,且传送在该节点的一电压到该各自的第一数据线及第二数据线。

2.如权利要求1所述的接地参考电压感测放大器电路,其中当耦接该第一数据线的一存储单元是在保留模式,该第一电压源用于供应一电压值到该节点以至于由该存储单元漏到该第一数据线或该第二数据线的一电流相对于接收一电压VSS值的节点是降低的。

3.如权利要求1所述的接地参考电压感测放大器电路,其中当耦接该第一数据线的一存储单元是在保留模式,该第一电压源用于供应一保留电压值到该节点。

4.如权利要求3所述的接地参考电压感测放大器电路,其中该保留电压值是在该存储单元的一运算电压的大约1/3到大约1/2的一个范围。

5.如权利要求1所述的接地参考电压感测放大器电路,还包括当该位元线是在一第一逻辑电平时,一字元线用于设定耦接该第一数据线的一存储单元于一数据保留模式,当该字元线在不同于该第一逻辑电平的一第二逻辑电平时,设定在一存取模式。

6.如权利要求1所述的接地参考电压感测放大器电路,其中该节点用于经由至少三个各自的开关选择性地耦接到所述至少三个电压源。

7.一种操作接地参考感测放大器的方法,包括:

施加一保留电压值到一第一位元线、一第二位元线、一第一供应电源线及一第二供应电源线;

识别用于存取的一存储单元;

施加一电压VSS值到该第一位元线、该第二位元线、该第一供应电源线及该第二供应电源线;

电连接该第一位元线到该存储单元,及施加一参考电压值到该第二位元线,借此发展该第一位元线及该第二位元线之间的一电压裂痕;以及

断开该第二位元线与该参考电压,以及施加一运算电压值到该第一供应电源线,借此更近一步发展该电压裂痕。

8.如权利要求7所述的操作接地参考感测放大器的方法,当该电压裂痕更进一步发展到一既定值时,还包括施加该保留电压值到该第一位元线、该第二位元线、该第一供应电源线及该第二供应电源线。

9.如权利要求7所述的操作接地参考感测放大器的方法,其中施加该保留电压值到该第一位元线及该第二位元线包括控制耦接该第一位元线及该第二位元线的一晶体管,所以该晶体管等化该第一位元线及该第二位元线到一第一电压值。

10.如权利要求9所述的操作接地参考感测放大器的方法,其中施加该保留电压值到该第一位元线及该第二位元线还包括在等化该第一位元线及该第二位元线到该第一电压值之后,传送该保留电压值到一节点,且控制一对开关以经由该对开关的一各自开关由该节点传送该保留电压值到该第一位元线及该第二位元线。

11.如权利要求7所述的操作接地参考感测放大器的方法,其中施加该保留电压值到该第一位元线及该第二位元线包括传送该保留电压值到一节点且控制一对开关以经由该对开关的一各自开关由该节点传送该保留电压值到该第一位元线及该第二位元线。

12.如权利要求11所述的操作接地参考感测放大器的方法,其中传送该保留电压值到该节点包括控制一第三开关,该第三开关具有一第一端耦接该节点,及一第二端耦接供应该保留电压值的一电压源;以及

使用该第三开关及该电压源以供应该参考电压到该节点及到该第二位元线。

13.如权利要求11所述的操作接地参考感测放大器的方法,其中该节点耦接至少三个开关且该方法更包括:

使用所述至少三个开关的一第一开关以选择性地由一第一电压源传送该保留电压值到该端点;

使用所述至少三个开关的一第二开关以选择性地由一第二电压源传送该电压VSS值到该端点;以及

使用所述至少三个开关的一第三开关以选择性地传送该参考电压值到该端点。

14.如权利要求7所述的操作接地参考传感放大器的方法,还包括选择该保留电压值在介于大约一电压值的1/3到大约1/2之间,建构一逻辑高电位用于储存在该存储单元的数据。

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