[发明专利]曝光头和图像形成装置无效

专利信息
申请号: 201010563159.6 申请日: 2010-11-25
公开(公告)号: CN102081326A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 宗和健;井熊健;小泉竜太;井上望 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G03G15/043 分类号: G03G15/043;G03G15/04;G03G15/00;B41J2/447
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;张彬
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 曝光 图像 形成 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种通过成像光学系统而对来自于发光元件的光进行成像的曝光头以及一种使用了该曝光头的图像形成装置。

背景技术

专利文献1中记载了一种曝光头,其具有沿主扫描方向以交错状排列的多个发光元件、和与该多个发光元件对置的成像光学系统。即,该曝光头通过由成像光学系统对各发光元件射出的光进行成像,从而将多个光点沿主扫描方向排列并且照射到被曝光面上。而且,通过这些光点使被曝光面曝光。

在先技术文献

专利文献1:日本特开2009-098613号公报

发明内容

发明所要解决的问题

如上所述,上述曝光头通过沿主扫描方向排列的多个光点而对被曝光面进行曝光。因此,为了实现较高精度的曝光,有必要以满足各种条件的方式而形成各光点。这些条件中尤其重要的是,将成像光学系统的像差(aberration)抑制于较小程度、和确保足够的用于形成光点的光量。而且,为了使这两个条件同时成立,成像光学系统的主扫描方向上的放大倍率成为了很重要的参数。即,一方面当主扫描方向上的放大倍率变大时像差会恶化,而另一方面当主扫描方向上的放大倍率变小时光利用效率会恶化,从而用于形成光点的光量会降低。但是,一直以来,这一点未得到充分的考虑。

本发明是为了解决上述课题而构思的,其目的在于,提供一种在将成像光学系统的像差抑制于较小程度的同时,确保足够的用于形成光点的光量,从而能够实现较高精度的曝光的技术。

解决课题的方法

为了达成上述目的,本发明所涉及的曝光头的特征在于,具有;发光元件阵列,其具有配置在第1方向上的发光元件;遮光部件,其具有使发光元件发射的光通过的孔径光阑;成像光学系统,其对通过遮光部件的光进行成像,成像光学系统的第1方向上的放大倍率的绝对值在0.7倍以上并且在0.8倍以下。

为了达成上述目的,本发明所涉及的图像形成装置的特征在于,具有:潜像载体,其形成有潜像;曝光头,其具有,包括配置在第1方向上的发光元件的发光元件阵列、具有使发光元件发射的光通过的孔径光阑的遮光部件、以及使通过遮光部件后的光透过从而对潜像载体进行曝光的成像光学系统,其中,成像光学系统的第1方向上的放大倍率的绝对值在0.7倍以上并且在0.8倍以下;显影部,其对通过曝光头而形成在潜像载体上的潜像进行显影。

在以此方式构成的发明(曝光头、图像形成装置)中,由于成像光学系统的第1方向上的放大倍率在0.8倍以下,因此能够将成像光学系统的像差抑制于较小程度,并且由于成像光学系统的第1方向上的放大倍率在0.7倍以上,因此能够抑制光利用率的降低,从而确保足够的用于光点形成的光量。其结果实现了较高精度的曝光。

此时,也可以采用如下结构,即,成像光学系统具有第1透镜以及第2透镜,并且由发光元件发射的光,在透过第1透镜之后接着透过第2透镜,从而被成像。即,通过由两枚透镜构成成像光学系统,从而能够较容易地制作出,第1方向上的放大倍率的绝对值在0.7倍以上并在0.8倍以下的成像光学系统。

而且,成像光学系统也可以为变形(anamorphic)光学系统。其原因在于,变形光学系统有利于对像差进行抑制。

并且,第1透镜以及第2透镜可由树脂透镜构成。这样,能够高精度地复制如主扫描方向和副扫描方向的曲率不同的这种复杂形状的非球面透镜。

此外,本发明优选适用于,发光元件为有机EL元件,并且发光元件阵列具有配置了有机EL元件的玻璃製的头基板、和对有机EL元件进行密封的密封部件的结构。该理由如下文所述。即,有机EL元件在具有随着发光而发热的性质的同时,还兼具由于热带来的劣化导致寿命缩短的性质。因此,从有机EL元件的长寿命化的观点出发,优选促进有机EL元件的放热,但是,在通过玻璃製的头基板以及密封部件而环绕有机EL元件的结构中,促进有机EL元件的放热是比较困难的。而且,为了抑制有机EL元件的发热量,有必要对有机EL元件发射的光量进行抑制。另一方面,由于对于如有机EL元件这样的扩散光源,本发明的成像光学系统具有比较高的光利用效率,因此能够在对有机EL元件的光量进行抑制的同时,确保足够的用于光点形成的光。由此,能够在对有机EL元件的光量进行抑制从而对有机EL元件的劣化进行抑制的同时,进行高精度的曝光。

特别是,在采用发光元件阵列为底部发射型的有机EL元件阵列时,增多有机EL元件的光量是很困难的。因此,优选为,对于这样的结构应用本发明,从而实现光利用效率的提高。

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