[发明专利]制造液晶显示装置的方法

说明书

技术领域

本发明涉及制造液晶显示(LCD：liquid crystal display)装置的方法。

背景技术

液晶显示(LCD)装置作为可以克服阴极射线管(CRT)的缺陷的替代品，已经逐渐受到广泛的关注，这是因为LCD的诸如尺寸小、重量轻和功耗低的优点。近来，LCD装置被用于几乎所有需要显示装置的信息处理设备中。

LCD装置通过液晶单元(即，通过向液晶的特定分子排列施加电压)来使用对光的调制，该分子排列被转换成其它的分子排列，使得光学特性的变化被转换成视觉变化。

LCD装置是通过各种工艺制造的，这些工艺包括制造面板的上基板和下基板以及形成构成像素单元的液晶单元、形成并研磨用于液晶配向的配向膜、粘合性结合上基板和下基板、以及将液晶注入到粘合性结合的上基板和下基板之间并密封上基板和下基板的工艺。

在下基板制造工艺中，通过将多个选通线和数据线彼此交叉地排列来限定单位像素区。在每个像素区中，形成作为开关元件的薄膜晶体管(TFT：thin film transistor)和像素电极。该TFT通过经由选通线提供的驱动信号而被导通，并执行开关功能，以向像素电极提供经由数据线提供的图形信号。提供给像素电极的图形信号产生电场以使液晶旋转，并由此转换外部或内部光来显示图像。

具体地说，随着LCD装置变大并且分辨率变高，已经开发出用于提供具有高孔径比和高透射率的像素区的技术。为了使LCD装置具有高孔径比和高透射率，设置在预定像素区内的选通线、数据线、像素电极和公共电极中的每一个的宽度被形成得较窄。

然而，难以将被构图的线路或电极的宽度减小至不大于4μm，这是由于在制造LCD装置的方法中使用的曝光设备的物理特性造成的。也就是说，通过在基板上形成金属膜、涂覆光致抗蚀剂膜、执行掩模工艺并且执行曝光、显影和蚀刻工艺的这些工艺所形成的线路或电极的宽度大于4μm。

由于LCD装置制造工艺中使用的掩模和曝光设备的分辨率的限制，导致线路或电极的宽度不会进一步降低。因此，使用当前使用的设备难以将LCD装置的阵列基板上形成的线路或电极的宽度形成为不大于4μm。

因此，除非LCD装置的像素区中形成的线路或电极的宽度不大于4μm，否则不能制造出具有更高孔径比和透射率的LCD装置。

发明内容

因此，本实施方式致力于一种LCD装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺陷而导致的一个或更多个问题。

因此，本实施方式致力于一种制造LCD装置的方法，利用该方法，可以通过使用在制造LCD装置的传统工艺中使用的掩模和曝光设备来形成宽度比曝光设备的物理分辨率窄得多的线路和电极。

具体地说，本发明致力于一种制造LCD装置的方法，利用该方法，通过按照精细图案来形成LCD装置的像素区中形成的信号线和电极中的每一个的宽度，来提供像素孔径比和透射率。

这些实施方式的附加特征和优点将在随后的说明中得到阐述，并且部分地将从说明书中清楚，或者可以通过这些实施方式的实践而得知。将通过书面说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得这些实施方式的优点。

根据本发明的一个总体方面，一种制造液晶显示装置的方法包括：在像素区中形成多个牺牲层图案，同时在基板上形成选通线、第一存储电极和选通焊盘；在设置有所述选通线的基板上，顺序形成栅绝缘膜、由非晶硅膜和掺杂非晶硅膜组成的有源层、以及源极/漏极金属膜，然后形成源极/漏极、有源层和数据线；在加载有所述源极/漏极的基板的整个表面上形成保护膜，然后在所述保护膜中形成接触孔；在覆盖有所述保护膜的基板上形成透明导电材料，然后对所述透明导电材料进行构图，以形成第二存储电极和电极图案，该第二存储电极与所述第一存储电极重叠，该电极图案具有与所述牺牲层图案的一个侧边缘的区域重叠的一部分和形成在所述基板上的另一部分；以及通过执行剥离工艺去除形成有所述电极图案的基板上的所述牺牲层图案，以在所述像素区中同时形成公共电极和像素电极。