[发明专利]制造液晶显示装置的方法有效
申请号: | 201010556246.9 | 申请日: | 2010-11-18 |
公开(公告)号: | CN102087450A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 朴承烈;孙庚模 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/1343;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;吕俊刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 液晶 显示装置 方法 | ||
1.一种制造液晶显示装置的方法,该方法包括:
在像素区中形成多个牺牲层图案,同时在基板上形成选通线、第一存储电极和选通焊盘;
在设置有所述选通线的基板上,顺序地形成栅绝缘膜、由非晶硅膜和掺杂非晶硅膜组成的有源层、和源极/漏极金属膜,然后形成源极/漏极、有源层和数据线;
在加载有所述源极/漏极的基板的整个表面上形成保护膜,然后在所述保护膜中形成接触孔;
在覆盖有所述保护膜的基板上形成透明导电材料,然后对所述透明导电材料进行构图,以形成第二存储电极和电极图案,该第二存储电极与所述第一存储电极重叠,该电极图案具有与所述牺牲层图案的一个侧边缘的区域重叠的一部分和形成在所述基板上的另一部分;以及
通过执行剥离工艺去除形成有所述电极图案的基板上的所述牺牲层图案,以在所述像素区中同时形成公共电极和像素电极。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述剥离工艺包括如下的工艺:通过使用适于仅蚀刻所述牺牲层图案和所述电极图案中的所述牺牲层图案的蚀刻剂,去除所述牺牲层图案以及所述电极图案的与所述牺牲层图案重叠的部分。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,通过所述剥离工艺在所述像素区中形成的所述公共电极和所述像素电极中的每一个的宽度小于所述电极图案的宽度。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,通过所述剥离工艺在所述像素区中形成的所述公共电极和所述像素电极中的每一个的宽度等于所述电极图案的形成在基板上的不与所述牺牲层图案重叠的部分的宽度。
5.一种制造液晶显示装置的方法,该方法包括:
在像素区中形成多个牺牲层图案,同时在基板上形成选通线、第一存储电极和选通焊盘;
在设置有所述选通线的基板上,顺序地形成栅绝缘膜、由非晶硅膜和掺杂非晶硅膜组成的有源层、和源极/漏极金属膜,然后形成源极/漏极、有源层和数据线;
在加载有所述源极/漏极的基板的整个表面上形成保护膜,然后在所述保护膜中形成接触孔;
在覆盖有所述保护膜的基板上形成透明导电材料,然后对所述透明导电材料进行构图,以形成第二存储电极和电极图案,该第二存储电极与所述第一存储电极重叠,该电极图案具有形成在所述牺牲层图案上的一部分和形成在所述基板上的另一部分,并且该电极图案相对于所述牺牲层图案中的每一个的中心对称地形成于所述牺牲层图案中的每一个的两侧边缘;以及
通过执行剥离工艺去除形成有所述电极图案的基板上的所述牺牲层图案,以在所述像素区中同时形成公共电极和像素电极。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述剥离工艺包括如下的工艺:通过使用适于仅蚀刻所述牺牲层图案和所述电极图案中的所述牺牲层图案的蚀刻剂,去除所述牺牲层图案以及所述电极图案的与所述牺牲层图案的两个侧边缘重叠的部分。
7.根据权利要求5所述的方法,其中,通过所述剥离工艺在所述像素区中形成的所述公共电极和所述像素电极中的每一个的宽度小于所述电极图案的宽度。
8.根据权利要求5所述的方法,其中,通过所述剥离工艺在所述像素区中形成的所述公共电极和所述像素电极中的每一个的宽度等于所述电极图案的形成在基板上的不与所述牺牲层图案重叠的部分的宽度。
9.根据权利要求5所述的方法,其中,通过在所述牺牲层图案中的一个牺牲层图案的两个侧边缘中的每个侧边缘处形成的电极图案,来形成所述公共电极和所述像素电极。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述公共电极和所述像素电极之间的距离等于所述牺牲层图案中的每个牺牲层图案的宽度。
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