[发明专利]一种LED等高电极的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED等高电极的制作方法。                    

背景技术

　LED的内在特征决定了它具有很多优点，（1）体积小，LED基本上是一块很小的晶片被封装在环氧树脂里面，所以它非常小，非常轻。（2）耗电量低，LED耗电相当低，直流驱动，超低功耗（单管0.03-0.06瓦），电光功率转换接近100%。一般来说LED的工作电压是2-3.6V，工作电流是0.02-0.03A；这就是说，它消耗的电能不超过0.1W，相同照明效果比传统光源节能80%以上。（3）使用寿命长，有人称LED光源为长寿灯。它为固体冷光源，环氧树脂封装，灯体内也没有松动的部分，不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰等缺点，在恰当的电流和电压下，使用寿命可达6万到10万小时，比传统光源寿命长10倍以上。（4）高亮度、低热量，LED使用冷发光技术，发热量比普通照明灯具低很多。（5）环保，LED是由无毒的材料作成，不像荧光灯含水银会造成污染，同时LED也可以回收再利用。光谱中没有紫外线和红外线，既没有热量，也没有辐射，眩光小，冷光源，可以安全触摸，属于典型的绿色照明光源。（6）坚固耐用，LED被完全封装在环氧树脂里面，比灯泡和荧光灯管都坚固。灯体内也没有松动的部分，使得LED不易损坏。

现有技术下，在横向结构的LED芯片中，由于需要蚀刻出N型区域，导致P型电极和N型电极存在~1.2um的高度差，所以在做倒装结构时，需要置入金属金或锡金球，通过金球的形变同时连接PN电极和电路。但是金属球很难做成球状，通常是扁平状，这样给倒装的芯片和电路连接带来困难，同时可能带来可靠性问题。 

发明内容

为了克服现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种实现电极等高度，提高倒装芯片和电路连接的可靠性的LED等高电极的制作方法。

为达到以上目的，本发明提供了一种LED等高电极的制作方法，包括如下步骤：

1）在LED的P型区域和/或N型区域的上方沉积LED保护薄膜；

2）对已沉积好的LED保护薄膜进行平坦化处理，使所述的LED保护薄膜的上表面形成水平平面；

3）在所述的LED保护薄膜内开出至少两个孔，所述的孔的顶部在所述的LED保护薄膜的外表面处与外部相连通，所述的孔的底部与所述的P型区域或N型区域相连接；

4）在所述的孔内沉积金属电极；

5）将所述的金属电极高于所述的LED保护薄膜上表面的区域去除。

本发明的更进一步改进在于，本发明所述的LED保护薄膜为SiO2保护薄膜，SiO2保护薄膜具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗蚀等特性。

本发明的更进一步改进在于，在沉积LED保护膜步骤前还设置有对LED进行蚀刻，蚀刻出N型区域的步骤，增加蚀刻步骤可以是LED芯片应用于横向结构的LED芯片中。

本发明的更进一步改进在于，所述的孔为两个，一个孔设置在P型区域的上方并与P型区域相连接，一个开在N型区域的上方并与N型区域相连接。

本发明的进一步改进在于，对已沉积好的LED保护薄膜进行平坦化处理的方法为回蚀刻或机械研磨。

本发明的进一步改进在于，将所述的金属电极高于所述的LED保护薄膜上表面的区域去除的方法为回蚀刻或机械研磨。

由于采用了以上技术方案，首先对LED保护薄膜进行平坦化处理，在通过设置LED保护薄膜使电极在生长后也进行平坦化处理，保证了在LED保护薄膜中生长的电极都具有和LED保护薄膜一样的高度，从而保证LED各电极等高。

附图说明

附图1为本发明一种LED等高电极的制作方法实施例一中蚀刻出N型区域后的结构示意图；

附图2为本发明一种LED等高电极的制作方法实施例一中沉积SiO2保护薄膜后的结构示意图；

附图3为本发明一种LED等高电极的制作方法实施例一中对SiO2保护薄膜进行平坦化处理后的结构示意图；

附图4为本发明一种LED等高电极的制作方法实施例一中在SiO2保护薄膜上开孔后的结构示意图；

附图5为本发明一种LED等高电极的制作方法实施例一中生成等高电极后的结构示意图。 

具体实施方式

下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

以下结合本发明的具体实施例说明LED等高电极的制作方法。

实施例一