[发明专利]一种LED等高电极的制作方法无效
| 申请号： | 201010554522.8 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102468380A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 孙智江 | 申请（专利权）人： | 孙智江 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 上海黄浦区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 电极 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED等高电极的制作方法，其特征在于：包括如下步骤
1）在LED的P型区域和/或N型区域的上方沉积LED保护薄膜；
2）对已沉积好的LED保护薄膜进行平坦化处理，使所述的LED保护薄膜的上表面形成水平平面；
3）在所述的LED保护薄膜内开出至少两个孔，所述的孔的顶部在所述的LED保护薄膜的外表面处与外部相连通，所述的孔的底部与所述的P型区域或N型区域相连接；
4）在所述的孔内沉积金属电极；
5）将所述的金属电极高于所述的LED保护薄膜上表面的区域去除。
2. 根据权利要求1所述的LED等高电极的制作方法，其特征在于:所述的LED保护薄膜为SiO2保护薄膜。
3.根据权利要求1所述的LED等高电极的制作方法，其特征在于:在沉积LED保护膜步骤前还设置有对LED进行蚀刻，蚀刻出N型区域的步骤。
4.根据权利要求3所述的LED等高电极的制作方法，其特征在于:所述的孔为两个，一个孔设置在P型区域的上方并与P型区域相连接，一个开在N型区域的上方并与N型区域相连接。
5.根据权利要求1所述的LED等高电极的制作方法，其特征在于: 对已沉积好的LED保护薄膜进行平坦化处理的方法为回蚀刻或机械研磨。
6.根据权利要求1所述的LED等高电极的制作方法，其特征在于: 将所述的金属电极高于所述的LED保护薄膜上表面的区域去除的方法为回蚀刻或机械研磨。
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