[发明专利]沟槽隔离结构及其形成方法

权利要求书

1.一种沟槽隔离结构，其特征在于，包括：

半导体基底；

第一沟槽，内嵌于所述半导体基底中，所述第一沟槽中填满第一介质层；

第二沟槽，形成于所述半导体基底的表面且与所述第一沟槽相接，其中填满第二介质层，所述第二介质层的表面与所述半导体基底的表面齐平，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度。

2.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于，所述半导体基底为硅衬底、锗硅衬底、III-V族元素化合物衬底、碳化硅衬底或其叠层结构，或绝缘体上硅结构，或金刚石衬底。

3.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于，所述半导体基底包括第一半导体基底和位于其上的外延层，所述第一沟槽形成于所述第一半导体基底中，所述第二沟槽形成于所述外延层中。

4.根据权利要求3所述的沟槽隔离结构，其特征在于，所述外延层的厚度小于100nm。

5.一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一半导体基底，所述第一半导体基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有第一沟槽，所述第一沟槽中填满第一介质层；

在所述第一半导体基底的第二表面上形成第二沟槽，所述第二沟槽的底部暴露出所述第一介质层，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度；

在所述第二沟槽中填充第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第二表面齐平。

6.根据权利要求5所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层还覆盖所述第一表面，所述沟槽隔离结构的形成方法还包括：提供第二半导体基底，所述第二半导体基底的表面形成有第三介质层；将所述第一介质层和第三介质层键合。

7.根据权利要求5所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一半导体基底为硅衬底、锗硅衬底、III-V族元素化合物衬底、碳化硅衬底或其叠层结构，或金刚石衬底。

8.根据权利要求5所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第二沟槽的深度小于100nm。

9.一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底的表面上形成有第一沟槽，所述第一沟槽中填充有第一介质层；

在所述半导体基底上形成外延层，覆盖所述半导体基底和第一介质层；

在所述外延层中形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度，其底部暴露出所述第一介质层；

在所述第二沟槽中填充第二介质层，所述第二介质层的表面与所述外延层的表面齐平。

10.根据权利要求9所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一半导体基底为硅衬底、锗硅衬底、III-V族元素化合物衬底、碳化硅衬底或其叠层结构，或绝缘体上硅结构，或金刚石衬底。

11.根据权利要求9所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述外延层的材料为硅、碳化硅、锗硅、III-V族元素化合物或其组合。

12.根据权利要求9所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述外延层的厚度小于100nm。