[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有暴露出插塞的金属导线沟槽，所述金属导线沟槽两侧的半导体衬底上覆盖有氮化硅硬掩模层；

在半导体衬底上涂布光刻胶，所述光刻胶填满半导体衬底中的金属导线沟槽并完全覆盖半导体衬底表面上的硬掩模层；

去除氮化钛硬掩模层上的光刻胶，保留金属导线沟槽中光刻胶；

去除氮化钛硬掩模层；

去除金属导线沟槽中的光刻胶。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述金属导线沟槽采用干法刻蚀形成，干法刻蚀后的刻蚀残留物利用包含有氟化物、胺、H₂O₂和去离子水的HCX1206-1溶剂去除。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述涂布光刻胶采用旋涂方法，所述涂布光刻胶的时间范围为10秒到20秒，光刻胶涂布机的转速为100转每分钟至1400转每分钟。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述光刻胶在氮化钛硬掩模层上的厚度小于500埃。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述氮化钛硬掩模层上的光刻胶采用饱和臭氧含量的去离子水去除。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述饱和臭氧含量的去离子水包含有臭氧和去离子水，其中臭氧与去离子水的质量比为10ppm至20ppm，饱和臭氧含量的去离子水的作用时间为1至2分钟。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述氮化钛硬掩模层采用SC1溶液去除。

8.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述SC1溶液温度范围为50至60摄氏度，SC1溶液中NH₄OH∶H₂O₂∶H₂O的体积比为1∶1∶5至1∶1∶30。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述金属导线沟槽中的光刻胶采用单乙基醚丙二醇或丙二醇单甲醚乙酸酯去除。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在采用单乙基醚丙二醇或丙二醇单甲醚乙酸酯去除金属导线沟槽中的光刻胶时，旋转所述半导体衬底，转速为300至500转每分钟，旋转时间为20秒至50秒。

11.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除金属导线沟槽中的光刻胶之后还包括：在氮气中对半导体衬底进行退火。

12.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述退火的温度范围为280至320摄氏度，时间范围为8至15分钟。