[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种能够利用有机发射材料来实现图像的有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。

背景技术

OLED显示装置是这样一种显示装置，该显示装置利用从阴极和阳极注入到发射层中的电子和空穴复合产生的激子所产生的能量来发射具有特定波长的光。

OLED显示装置分为无源矩阵型和有源矩阵型。有源矩阵OLED显示装置通常包括两个薄膜晶体管(TFT)来驱动包括有机薄膜的有机发光二极管(OLED)。这两个晶体管可以包括向OLED施加驱动电流的驱动晶体管和向驱动晶体管传输数据信号从而确定驱动晶体管的导通/截止的开关晶体管。因此，与无源矩阵OLED显示装置相比，有源矩阵OLED显示装置具有相对更加复杂的制造工艺。

无源矩阵OLED显示装置通常用在例如低分辨率和小尺寸的显示装置的应用中。利用设置在显示区域的每个像素中的开关晶体管和驱动晶体管提供均匀的电流，根据该电流，有源矩阵OLED显示装置通常能够展示稳定的亮度。

通常，薄膜晶体管(例如开关晶体管或驱动晶体管)包括：半导体层；栅电极，设置在半导体层的一侧上，以通过半导体层控制电流流动；源电极和漏电极，分别连接到半导体层的相对端，以使一定量的电流通过半导体层。半导体层可以由多晶硅(poly-Si)或非晶硅(a-Si)形成。由于poly-Si的电子迁移率比a-Si的电子迁移率高，所以通常更经常地使用poly-Si。

为了利用poly-Si形成半导体层，通常在基底上形成a-Si层，并且通过固相结晶(SPC)、快速热退火(RTA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)、准分子激光退火(ELA)和连续横向固化(SLS)中的一种使a-Si层结晶。

发明内容

本发明的实施例提供了一种OLED显示装置及其制造方法，本发明的OLED显示装置通过相对简单的工艺在每个像素中按照适于不同作用的结构形成开关晶体管和驱动晶体管能够防止工艺效率下降并能够增加发射效率。

一方面是一种有机发光二极管(OLED)显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括多条扫描线、多条数据线和设置在扫描线与数据线交叉的区域中的多个像素，其中，多个像素中的每个像素包括：开关晶体管，包括第一栅电极、设置在第一栅电极上方的第一半导体层、设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层、以及第一源电极和第一漏电极；驱动晶体管，包括第二半导体层、设置在第二半导体层上方的第二栅电极、设置在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层、以及第二源电极和第二漏电极；有机发光二极管，与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接，其中，第一半导体层和第二半导体层由相同的材料通过同一工艺形成。

第一半导体层和第二半导体层可以由多晶硅(poly-Si)形成。

第一半导体层和第二半导体层的poly-Si可以具有相同的晶体结构。

每个像素还可以包括设置在第一半导体层和第一源电极、第一漏电极之间的第一欧姆接触层，以及设置在第二半导体层和第二源电极、第二漏电极之间的第二欧姆接触层。

第一欧姆接触层和第二欧姆接触层可以由掺杂有杂质的非晶硅形成。

每个像素还可以包括设置在第一半导体层的部分区域上的第一蚀刻停止层以及设置在第二半导体层的部分区域上的第二蚀刻停止层。

OLED可以包括与第二源电极和第二漏电极中的所述一个电极电连接的下电极、设置在所述下电极上方并且包括一个或多个发射层的有机层以及设置在有机层上方的上电极。

第二栅电极可以设置在第二源电极和第二漏电极上方。

第一源电极和第一漏电极可以由与第二源电极和第二漏电极的材料相同的材料与第二源电极和第二漏电极通过同一工艺形成。