[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：

多条扫描线、多条数据线和设置在多条扫描线与多条数据线交叉的区域中的多个像素，

其中，多个像素中的每个像素包括：

开关晶体管，包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极、设置在第一栅电极上方的第一半导体层以及设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层；

驱动晶体管，包括第二半导体层、第二源电极、第二漏电极、设置在第二半导体层上方的第二栅电极以及设置在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层；

有机发光二极管，与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一半导体层和第二半导体层由多晶硅形成。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一半导体层和第二半导体层的多晶硅具有相同的晶体结构。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，每个像素还包括设置在第一半导体层和第一源电极、第一漏电极之间的第一欧姆接触层，以及设置在第二半导体层和第二源电极、第二漏电极之间的第二欧姆接触层。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层由掺杂有杂质的非晶硅形成。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，每个像素还包括设置在第一半导体层的部分区域上的第一蚀刻停止层以及设置在第二半导体层的部分区域上的第二蚀刻停止层。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，有机发光二极管包括与第二源电极和第二漏电极中的所述一个电极电连接的下电极、设置在所述下电极上方并且包括一个或多个发射层的有机层以及设置在有机层上方的上电极。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第二栅电极设置在第二源电极和第二漏电极上方。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一源电极和第一漏电极由与第二源电极和第二漏电极的材料相同的材料形成。

10.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：

提供具有第一区域和第二区域的基底；

在所述基底的第一区域上方形成第一栅电极；

在第一栅电极上方形成第一栅极绝缘层；

在第一栅极绝缘层上方形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上方形成导电材料层；

蚀刻所述多晶硅层和所述导电材料层，在第一区域中形成第一半导体层、第一源电极和第一漏电极，在第二区域中形成第二半导体层、第二源电极和第二漏电极，其中，第一半导体层和第二半导体层通过同一工艺由相同的材料形成；

在第一源电极和第一漏电极以及第二源电极和第二漏电极上方形成第二栅极绝缘层；

在第二区域的第二栅极绝缘层上方形成第二栅电极；

在第二栅电极上形成保护层；

蚀刻所述保护层和第二栅极绝缘层，形成暴露第二源电极和第二漏电极中的一个电极的通孔；

形成包括下电极的有机发光二极管，所述下电极通过所述保护层中的通孔与第二源电极和第二漏电极中的所述一个电极电连接。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成多晶硅层的步骤包括：在第一栅极绝缘层上方沉积非晶硅层，并使所述非晶硅层结晶为多晶硅层。

12.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括：

在所述多晶硅层上方形成非晶硅层；

在所述非晶硅层上方形成所述导电材料层；

通过用于所述多晶硅层和所述导电材料层的蚀刻工艺蚀刻掺杂有杂质的所述非晶硅层，在第一半导体层和第一源电极、第一漏电极之间形成第一欧姆接触层，在第二半导体层和第二源电极、第二漏电极之间形成第二欧姆接触层。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述多晶硅层的第一区域上方形成第一蚀刻停止层，在所述多晶硅层的第二区域上方形成第二蚀刻停止层。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括沿着第一半导体层和第二半导体层的部分区域形成第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层。