[发明专利]一种金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201010541467.9 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102030556A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 何新波;杨振亮;吴茂;任淑彬;曲选辉 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/52;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 刘淑芬 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 碳化硅 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征是先制备出陶瓷多孔基体，陶瓷多孔基体再经过多次真空浸渍、氧化、烧结和冷却，获得致密的金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料；制备步骤如下：
(1)、陶瓷多孔基体的制备：首先按重量百分比，将5～15％的粘接剂，15～45％的碳化硅粉，40～80％的金刚石颗粒湿混，混合时间8～24h；然后在75～250MPa压力下模压成形复合材料毛坯，并在200℃温度下于空气中氧化6～10h；在氮气保护气氛中800～1200℃烧结8～15h，随炉冷却后得到具有一定强度和孔隙度的金刚石/碳化硅陶瓷基多孔基体；
(2)、陶瓷基复合材料的制备：将步骤(1)所制备的陶瓷多孔基体置于浸渍罐中用先驱体浸渍液进行真空浸渍；浸渍时真空度为-0.6～-0.1MPa、浸渍时间为0.5～2h、浸渍液浓度重量百分比为10～50％；浸渍完后将样品在200℃温度下于空气中氧化6～10h；最后在氮气保护炉中于800～1200℃温度下烧结8～15h；随炉冷却后再以同样的工艺进行真空浸渍、氧化、烧结和冷却，循环3-7次后即可获得致密的金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料。
2.根据权利要1所述的一种金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征是其中粘接剂为聚碳硅烷，碳化硅粉粒径10～20μm，金刚石颗粒粒径100～120μm，湿混的溶剂为正己烷或二甲苯。
3.根据权利要求1所述的一种金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征是先驱体浸渍液为聚碳硅烷/二甲苯溶液。
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