[发明专利]太阳能电池有效
申请号: | 201010535062.4 | 申请日: | 2010-09-07 |
公开(公告)号: | CN102044579A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 池光善;李宪民;慎熩祯;崔元硕;崔正薰;梁贤真 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;汤俏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池。
背景技术
近来,由于认为现有能源(如石油和煤)是会被耗尽的,因此对于代替现有能源的另选能源越来越感兴趣。在这些另选能源中,从太阳能产生电能的太阳能电池尤其受到关注。
太阳能电池通常包括具有不同导电类型(例如p型和n型)并且形成p-n结的半导体部分、和分别连接到不同导电类型的半导体部分的电极。
当光入射到太阳能电池上时,在半导体部分中产生多个电子-空穴对。通过光电效应,电子-空穴对分离成电子和空穴。因此,分离的电子移动到n型半导体,分离的空穴移动到p型半导体,随后分别通过电连接到n型半导体和p型半导体的电极来收集这些电子和空穴。这些电极使用电线而彼此连接并因此获得电能。
发明内容
在一方面,存在一种太阳能电池,该太阳能电池包括:第一导电类型的基板;位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极区;位于所述基板上并与所述射极区分隔开的所述第一导电类型的第一场区(field region);电连接到所述射极区的第一电极;电连接到所述第一场区的第二电极;以及位于所述射极区和所述第一场区中的至少一个上的绝缘区。
当所述绝缘区位于所述第一场区上时,所述绝缘区可以位于所述第一场区的边缘上。
当所述绝缘区位于所述第一场区上时,所述绝缘区可以具有暴露出所述第一场区的一部分的至少一个开口。
所述绝缘区可以位于所述射极区和所述第一场区之间。
所述绝缘区可以包括直接接触所述基板的一部分。
所述绝缘区可以直接接触在所述射极区和所述第一场区之间暴露出的所述基板。
所述射极区可以包括位于第一高度的第一部分、和位于高于所述第一高度的第二高度的第二部分。
当所述绝缘区位于所述射极区上时,所述绝缘区可以位于所述射极区的所述第一部分上。
所述绝缘区可以具有暴露所述射极区的所述第一部分的一部分的至少一个开口。
所述太阳能电池还可以包括位于所述基板和所述第一场区之间以及所述基板和所述射极区之间的钝化层。
所述钝化层可以包括位于所述基板和所述第一场区之间的第一部分以及位于所述基板和所述射极区之间的第二部分。
所述钝化层的所述第二部分可以具有与所述射极区相同的平面形状。
所述钝化层可以位于所述第一场区和所述射极区之间。
所述钝化层可以在所述第一场区和所述射极区之间延伸,并且可以位于所述绝缘区和所述射极区之间。
所述钝化层可以具有暴露所述射极区的所述第一部分的至少一个开口。
当所述绝缘区位于所述射极区和所述第一场区上时,所述绝缘区可以位于所述射极区的边缘和所述第一场区的边缘。
所述太阳能电池还可以包括位于所述射极区和所述第一电极之间的第一辅助电极、以及位于所述第一场区和所述第二电极之间的第二辅助电极。
所述第一辅助电极和所述第二辅助电极可以由透明导电材料形成。
所述射极区和所述第一场区可以位于所述基板的没有光入射的表面上。
所述基板可以由晶体半导体形成,并且所述射极区和所述第一场区可以由非晶半导体形成。
所述太阳能电池还可以包括与所述第一场区相对地位于所述基板上的第二场区。
所述太阳能电池还可以包括位于所述基板和所述第二场区之间的钝化层。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解,其被并入且构成本说明书的一部分,附图示出了本发明的实施方式,并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是根据本发明一个实施方式的太阳能电池的部分透视图;
图2是沿图1的线II-II截取的剖面图;
图3A到3T顺序地示出了图1中所示的太阳能电池的制造方法的每个阶段;
图4A和4B示出了图1中所示的太阳能电池的制造方法中的用于制造多个第一辅助电极和第二辅助电极以及多个第一电极和第二电极的另一种方法;
图5是根据本发明另一个实施方式的太阳能电池的部分剖面图;
图6A和6B示出了图5中所示的太阳能电池的制造方法的一部分;
图7是根据本发明另一个实施方式的太阳能电池的部分剖面图;
图8A到8C示出了图7中所示的太阳能电池的制造方法的一部分;
图9A到9D示出了图7中所示的太阳能电池的另一制造方法的一部分;
图10是根据本发明另一个实施方式的太阳能电池的部分剖面图;
图11A到11H示出了图10中所示的太阳能电池的制造方法的一部分;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的