[发明专利]太阳能电池有效
申请号: | 201010535062.4 | 申请日: | 2010-09-07 |
公开(公告)号: | CN102044579A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 池光善;李宪民;慎熩祯;崔元硕;崔正薰;梁贤真 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;汤俏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:
第一导电类型的基板;
位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极区;
与所述射极区隔开地位于所述基板上的所述第一导电类型的第一场区;
电连接到所述射极区的第一电极;
电连接到所述第一场区的第二电极;以及
位于所述射极区和所述第一场区中的至少一个上的绝缘区。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,当所述绝缘区位于所述第一场区上时,所述绝缘区位于所述第一场区的边缘上。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,当所述绝缘区位于所述第一场区上时,所述绝缘区具有暴露出所述第一场区的一部分的至少一个开口。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述绝缘区位于所述射极区和所述第一场区之间。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述绝缘区包括直接接触所述基板的部分。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其中,所述绝缘区直接接触在所述射极区和所述第一场区之间暴露出的所述基板。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述射极区包括位于第一高度的第一部分、和位于高于所述第一高度的第二高度的第二部分。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中,当所述绝缘区位于所述射极区上时,所述绝缘区位于所述射极区的所述第一部分上。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池,其中,所述绝缘区具有暴露出所述射极区的所述第一部分的一部分的至少一个开口。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池,该太阳能电池还包括位于所述基板和所述第一场区之间以及所述基板和所述射极区之间的钝化层。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,所述钝化层包括位于所述基板和所述第一场区之间的第一部分以及位于所述基板和所述射极区之间的第二部分。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池,其中,所述钝化层的所述第二部分具有与所述射极区相同的平面形状。
13.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,所述钝化层位于所述第一场区和所述射极区之间。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池,其中,所述钝化层在所述第一场区和所述射极区之间延伸,并且位于所述绝缘区和所述射极区之间。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池,其中,所述射极区包括位于第一高度的第一部分、和位于高于所述第一高度的第二高度的第二部分。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池,其中,当所述绝缘区位于所述射极区上时,所述绝缘区位于所述射极区的所述第一部分上。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池,其中,所述钝化层具有暴露所述射极区的所述第一部分的至少一个开口。
18.根据权利要求13所述的太阳能电池,其中,当所述绝缘区位于所述射极区和所述第一场区上时,所述绝缘区位于所述射极区的边缘和所述第一场区的边缘上。
19.根据权利要求1所述的太阳能电池,该太阳能电池还包括位于所述射极区和所述第一电极之间的第一辅助电极、以及位于所述第一场区和所述第二电极之间的第二辅助电极。
20.根据权利要求19所述的太阳能电池,其中,所述第一辅助电极和所述第二辅助电极由透明导电材料形成。
21.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述射极区和所述第一场区位于所述基板的没有光入射的表面上。
22.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述基板由晶体半导体形成,并且所述射极区和所述第一场区由非晶半导体形成。
23.根据权利要求1所述的太阳能电池,该太阳能电池还包括与所述第一场区相对地位于所述基板上的第二场区。
24.根据权利要求23所述的太阳能电池,该太阳能电池还包括位于所述基板和所述第二场区之间的钝化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的