[发明专利]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。

背景技术

一般发光二极管(Light Emitting Diode，LED)封装结构是将荧光粉沉积在封装材料的底部，封装材料直接覆盖在发光二极管芯片上，使得荧光粉与发光二极管芯片直接接触，由于发光二极管芯片发光时散发大量的热，荧光粉受高温的影响，使得发光亮度减弱。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种能够避免荧光粉受高温影响的封装结构。

一种发光二极管封装结构，包括基板、发光二极管芯片、透明隔热层和含有荧光粉的封装层。所述发光二极管芯片设于所述基板上，并与所述基板电性连接。所述透明隔热层位于所述发光二极管芯片和所述封装层之间。

上述发光二极管封装结构中，由于透明隔热层具有优良的隔热效果，使得发光二极管芯片发光时发出的热量被有效的阻挡，极大的减少了热量对封装层中荧光粉的影响。因此在发光二极管封装结构中增加透明隔热层，得到了能够避免荧光粉受高温影响的封装结构。

附图说明

图1是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构剖视图。

主要元件符号说明

发光二极管封装结构        10

基板                      11

第一表面                  111

发光二极管芯片            12

透明隔热层                13

封装层                    14

荧光粉            15

具体实施方式

以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。

请参阅图1，本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构10包括基板11、发光二极管芯片12、透明隔热层13及封装层14。

所述基板11包括第一表面111。所述基板11用于支撑所述发光二极管芯片12。

所述发光二极管芯片12设置在所述基板11的第一表面111上，具体地，该发光二极管芯片12可通过粘着胶固定于第一表面111上。该发光二极管芯片12与所述基板11电性连接。该发光二极管芯片12可以利用覆晶(flip-chip)或共晶(eutectic)等方式电性连接所述基板11。所述发光二极管芯片12可以为蓝光LED芯片。

所述透明隔热层13覆盖于所述发光二极管芯片12上，包覆所述发光二极管芯片12。所述透明隔热层13的材料为透明绝热材料。优选地，所述透明隔热层13的材料为气凝胶材料，如二氧化硅气凝胶或二氧化钛气凝胶等。这种气凝胶材料具有优良的隔热效果，可以有效的阻挡所述发光二极管芯片12发出的热量。所述透明隔热层13的厚度可为1-20微米。

所述封装层14覆盖在所述透明隔热层13上。所述封装层14用于保护发光二极管芯片12免受灰尘、水气等影响。所述封装层14的材质可以为硅胶(silicone)、环氧树脂(epoxy)或其组合物。所述封装层14中还含有荧光粉15，所述荧光粉15受激辐射，产生所需颜色的光。所述荧光粉15可以为石榴石结构的化合物、硫化物、磷化物、氮化物、氮氧化物、硅酸盐类、砷化物、硒化物或碲化物中的一种。

本发明实施方式提供的发光二极管封装结构中，透明隔热层13位于发光二极管芯片12与封装层14之间，由于透明隔热层具有优良的隔热效果，使得发光二极管芯片发光时发出的热量向封装层14传递的部分被有效的阻挡，极大的减少了热量对封装层中荧光粉的影响。因此在发光二极管封装结构中增加透明隔热层，得到了能够避免荧光粉受高温影响的封装结构。

可以理解地，本发明的透明隔热层13不局限于附图所示的包覆所述发光二极管芯片12，荧光粉15也不局限于附图所示的分布于整个封装层14，也可以根据出光需求荧光粉15设置于封装层14的某一部分，透明隔热层13则对应荧光粉15设置于发光二极管芯片12与荧光粉15之间即可。

可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。