[发明专利]一种MEMS结构切割分离方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种MEMS结构切割分离方法。

背景技术

通常的MEMS(微机电系统)结构在制造工艺完成后，进入单个MEMS器件的切割程序。请参看图1，图1为现有技术的MEMS结构切割分离方法示意图。如图1所示，MEMS结构通常依次包括正面覆盖层(Top cover)201、机械层(mechanical wafer)202和背面覆盖层(Bottom cover)203，正面覆盖层201、机械层202同背面覆盖层203之间形成Si-Si原子键合，从而达到晶圆之间的连接。在切割前，切割承载盘100上放置有粘膜300，MEMS结构的正面覆盖层201向下、背面覆盖层203向上被放置于切割承载盘100上的粘膜300上，MEMS结构的正面覆盖层201粘附在粘膜300上。该粘膜300的功用为在MEMS结构被切割为单个的MEMS器件时仍能保持整个MEMS结构的完整性。从背面覆盖层203向下至正面覆盖层201对MEMS结构进行切割分离出单个的MEMS器件后，由于粘膜300的粘附作用，MEMS结构仍能够被完整地转移进行装架操作。装架时，经测试合格的MEMS器件被挑选出来，与粘膜300剥离，完成最终的封装。

与传统的IC晶圆相比，MEMS结构中的三层晶圆(正面覆盖层、机械层和背面覆盖层)带有腔体、薄膜和悬梁，这些微机械结构容易因机械接触而损坏，因暴露而沾污，因此在切割时需要对MEMS结构中的敏感元件部分做出保护，使其不受微粒和流体的破坏，只有这样才能保证MEMS器件的清洁及结构的完整。但现有技术的切割方法只在作为正面覆盖层的晶圆上贴一层粘膜，背面覆盖层上的通孔处于暴露状态，依次切割过程中硅屑很容易进入其背面覆盖层上的通孔里，切割冷却水也会冲击到通孔内的微结构。同时正面覆盖层上的通孔由于仅受一层粘膜的保护，切割时粘膜中也很容易渗进水，从而把硅屑带进正面覆盖层上的通孔中。因次现有技术的切割方法是不能保证MEMS结构在切割过程中的清洁及结构完整的。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种MEMS结构切割分离方法，以解决现有技术的切割方法不能保证MEMS结构在切割过程中的清洁及结构完整的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种MEMS结构切割分离方法，所述MEMS结构依次包括正面覆盖层、机械层和背面覆盖层，包括以下步骤：

在切割承载盘上放置有粘膜；

在所述MEMS结构的正面覆盖层粘贴紫外膜，在所述MEMS结构的背面覆盖层上粘贴透明紫外膜；

将所述MEMS结构正面覆盖层向下、背面覆盖层向上放置于所述切割承载盘上的所述粘膜上，使所述MEMS结构的正面覆盖层粘附在所述粘膜上；

从所述背面覆盖层向下至所述正面覆盖层对所述MEMS结构进行切割，分离出单个的MEMS器件；切割时将所述正面覆盖层和所述背面覆盖层上的紫外膜切透，而将所述粘膜不切透；

对所述背面覆盖层上的紫外膜进行紫外照射从而去除该层紫外膜；

对切割形成的单个MEMS器件进行测试，将测试合格的单个MEMS器件同所述正面覆盖层上的紫外膜和所述粘膜相剥离。

可选的，所述粘膜为蓝膜、紫外膜。

本发明的MEMS结构切割分离方法在切割过程中，由于背面覆盖层上粘贴有透明性能良好的紫外膜，使得在切割时可清楚看到背面覆盖层上的切割标记，完成精确的切割，又可以保护背面覆盖层上的通孔免遭切割颗粒的污染和冷却水流的冲击；同时由于在正面覆盖层上也粘贴有紫外膜，可以防止切割颗粒和冷却水渗入到正面覆盖层上的通孔中，从而可提高产品的焊接性能和良率。同时通过紫外照射去除背面覆盖层上的紫外膜后背面覆盖层仍具有很好的清洁度。

附图说明

图1为现有技术的MEMS结构切割分离方法示意图；

图2为本发明的MEMS结构切割分离方法示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本发明的具体实施方式做详细的说明。

本发明所述的MEMS结构切割分离方法可利用多种替换方式实现，下面是通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑涵盖在本发明的保护范围内。