[发明专利]半导体塑封体及分层扫描方法有效
申请号: | 201010532337.9 | 申请日: | 2010-11-05 |
公开(公告)号: | CN102104028A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 石海忠;赵亚俊;吉加安;尹华;苏红娟 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;G01N29/04;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人: | 雷志刚 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 塑封 分层 扫描 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体产品的内部失效分析方法,尤其涉及一种半导体封装结构及其分层扫描方法。
背景技术
半导体塑封体中因引线框架、塑封料、芯片等介质的膨胀系数不同,可能会因为热胀冷缩而导致在不同介质的交界面出现微裂纹或间隙,即分层,这种微裂纹或间隙会造成产品在使用过程中出现失效,严重时还出现“爆米花”现象而使产品报废。并且,由于目前半导体封装的低成本要求越来越强烈,在封装过程中不断使用一些低成本材料导致发生分层的几率增加。
请参考图1,为监控产品质量,经常利用超声波扫描仪扫描塑封体内部,超声波扫描仪发出的超声波在不同介质的界面会发生反射,超声波扫描仪接收反射的超声波,通过分析处理接收的反射波,利用超声波在固体或液体与空气的界面反射时波的相位发生改变的特点,即可检查产品内部不同介质的界面是否存在分层现象。根据波的反射原理,如果塑封体表面是平面,垂直入射的超声波会经垂直反射而被扫描仪的探头接收;然而,如果塑封体的表面存在斜面(如图1中的斜面131),当超声波从该斜面入射时,会存在大于0度的反射角从而改变了反射波的传播方向,探头接收不到反射波,就无法检测到塑封体内部的分层情况。
为解决上述问题,传统的做法是打磨法,即使用砂纸等将斜面磨平来避免探头接收不到反射波的情况。这种方法具有以下几方面的问题:
1,由于采用手工打磨,不能批量进行打磨,因此,打磨速度慢,同时占用大量的人力资源,成本高;
2,一致性差,采用人工打磨,每个产品的研磨程度不同,因此检测分层现象时只能一个一个地进行扫描,这也是速度慢,成本高的一个原因。
3,准确性差,因为在打磨过程中,产品表面,尤其是较薄产品的表面产生的应力本身会使塑封料与引线框架之间出现微裂纹,从而造成对分层现象的误判。
故,传统的做法只适用于在个别实验或评估中使用,而不适合作为大批量生产条件下的日常监控中使用。
发明内容
鉴于现有技术中存在的上述问题,本发明的主要目的在于解决现有技术的缺陷,提供一种能够高速、一致、准确地检测内部分层现象的半导体塑封体及半导体器件的分层扫描方法。
一种半导体塑封体,包括至少一半导体器件,所述半导体器件包括芯片及塑封所述芯片的内塑封体,所述半导体塑封体还包括:
一用于固定所述半导体器件的外引线框架;以及
一将所述半导体器件塑封在内的外塑封体,所述外塑封体外形成有扫描平面。
一种分层扫描方法,其特征在于:所述分层扫描方法包括以下步骤:
将耐高温胶覆于一外引线框架上;
将待检测的半导体器件水平放置在具有耐高温胶的外引线框架上,所述半导体器件包括芯片及塑封所述芯片的内塑封体;
对放置有半导体器件的外引线框架进行烘烤,使所述半导体器件固定在所述外引线框架上;
对所述半导体器件进行再次封装,以将所述半导体器件的内塑封体的表面填充成一扫描平面且形成至少将所述半导体器件封装在内的外塑封体;以及
通过至少一扫描仪发出一垂直于所述扫描平面的超声波扫描所述半导体器件内部不同介质的交界面。
本发明半导体塑封体以及所述分层扫描方法通过对待检测产品进行再次封装,可将所述待检测产品塑封体表面形成的的斜面填充成平面,避免了由于斜面造成的反射波方向的改变,避免了采用人工打磨方法造成的速度慢、一致性差的问题,也不会造成打磨时的应力所产生的误判断,可使用相应的封装模具对待检测产品进行再次封装,因此可适用于批量生产条件下的日常检测。
附图说明
图1为本发明对一表面具有斜面的待检测的半导体器件体进行分层检测时的示意图。
图2为在一外引线框架的载片台上进行点胶的结构示意图。
图3为将图1中的半导体器件粘贴在图2中的外引线框架载片台上的结构示意图。
图4为将图3中的待检测的半导体器件封装在一外塑封体中的结构示意图。
图5为本发明分层扫描方法较佳实施方式的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图及具体实施例对本发明作进一步说明。
请参考图2,本发明分层扫描方法用于对图1所示的待检测的半导体塑封器件10进行分层扫描以检测所述半导体器件10内部不同介质的交界面的分层情况。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通富士通微电子股份有限公司,未经南通富士通微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010532337.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。