[发明专利]一种电控三级开关器件

权利要求书

1.一个电控三级开关器件，包括：一个第一电极，一个第二电极和一个活性区。

2.根据权利要求1所述的电控三级开关器件，其两个电极的电极材料是金属。

3.根据权利要求1所述的电控三级开关器件，其两个电极中的一个电极材料是半导体，其两个电极中的另一个电极材料是金属。

4.根据权利要求1所述的电控三级开关器件，其活性区位于两个电极之间；其活性区包含一个主要活性区，零个或一个或超过一个次要活性区。

5.根据权利要求4所述的活性区，其主要活性区厚度位于0.1纳米到100纳米之间。

6.根据权利要求4所述的活性区，其主要活性区的具体材料选自于硅，锗，碳，氧化物，氮化物，硫化物，磷化物，碲化物，氯化物，硅化物，砷化物，碳化物，锗化物，溴化物，或有机化合物，或这些材料的组和物或混合物。

7.根据权利要求4所述的活性区，其次要活性区厚度位于0.1纳米到100微米之间。

8.根据权利要求4所述的活性区，其次要活性区的具体材料选自于铀，镍，铁，铅，银，钴，铝，钨，钯，钛，汞，金，铜，硅，锗，氧化物，氮化物，硫化物，磷化物，碲化物，氯化物，硅化物，砷化物，碳化物，锗化物，溴化物，或有机化合物，或这些材料的组和物或混合物。

9.根据权利要求4所述的活性区，其次要活性区和其主要活性区具有相同的化学元素。

10.根据权利要求4所述的活性区，其主要活性区被掺杂；其主要活性区的掺杂选自于氢，硅，硼，碳，碱性离子，金属离子，氧阴离子或空缺，硫阴离子或空缺，硒阴离子或空缺，碲阴离子或空缺，氮阴离子或空缺，磷阴离子或空缺，砷阴离子或空缺，或卤素阴离子或空缺。

11.根据权利要求4所述的活性区，其次要活性区被掺杂；其次要活性区的掺杂选自于氢，硅，硼，碳，碱性离子，金属离子，氧阴离子或空缺，硫阴离子或空缺，硒阴离子或空缺，碲阴离子或空缺，氮阴离子或空缺，磷阴离子或空缺，砷阴离子或空缺，或卤素阴离子或空缺。

12.根据权利要求1所述的电控三级开关器件，通过控制施加于该器件的电场，电荷被捕获或释放于一定的杂质能级或缺陷能级。

13.根据权利要求12所述的电荷被捕获或释放于一定的杂质能级或缺陷能级，然后分别以同样大小的电压施加于该器件，所获得的电流大小具有三个不同的数值；该器件作为三级开关被使用。

14.根据权利要求12所述的电荷被捕获或释放于一定的杂质能级或缺陷能级，然后分别以同样人小的电流通过该器件，所获得的电压大小具有三个不同的数值；该器件作为三级开关被使用。

15.根据权利要求1所述的电控三级开关器件，该电控三级开关器件作为集成电路的一个单元或一部分。

16.根据权利要求1所述的电控三级开关器件，该电控三级开关器件作为单独器件结合具体电路来应用。